[参考译文] TLV62569：TLV62569输出电压相关应用有噪声

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TLV62569

工具与软件：

嗨、团队：

我有一个关于噪声的问题、如下所示、噪声会影响 MCU 的工作、从而最严重地损坏 MCU。

如何改善3.3V 噪声？

0 admin 4 months ago

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Ruei、您好！

感谢您在 E2E 中提出问题。

该噪声是否与某种负载尖峰相关？我认为 TLV62569不会产生这种噪声。您可以通过断开 JP1来检查 TLV62569电路并施加纯电阻负载。

如果噪声由负载引起、则可以尝试优化输出滤波器。

我建议对输出电容器(C8和 C10)使用具有低 ESR 的多层陶瓷电容器。实际上、一个10uF 的电容器就足够了、但事实证明可使用高达2 x 22uF 的电容器。这些输出电容器应靠近电感器(PL1)放置。我可以根据需要检查您的布局。

如本应用手册"将滤波器与直流/直流降压转换器一同使用"中所述、您也可以尝试添加第二级滤波器。

如果您还有其他问题、请告诉我。

此致、

Andreas。

0 admin 4 months ago

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尊敬的 Andreas：

感谢您的答复。

负载是 MCU 和 SDRAM、是否会导致负载尖峰？

我在设计中使用 C8处的混合聚合物电容器、适合吗？

如果不适用、我会考虑第二级滤波器。

此致

Ruei

0 admin 4 months ago

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Ruei、您好！

感谢您的反馈。

很难猜测尖峰是由 MCU 或 SDRAM 引起的。您可以打开 JP1并查看尖峰是否仍然存在。您还可以将稳定的实验室电源连接至 MCU 和 SDRAM 轨、并查看是否存在尖峰。

无论如何、我认为混合聚合物电容器与 MLC 相比具有相当高的 ESR。我建议将 C8替换为 MLC、例如 GRM21BZ71A226ME15#。

如数据表的示例布局所示、通过将输入电容器的 GND 路径短接并直接与 IC GND 引脚连接、可以进一步优化布局。

如果您还有其他问题、请告诉我。

此致、

Andreas。

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