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[参考译文] LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC：负载开关

admin
Guru**** 1953960 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25480F3, CSD25483F4
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1423047/load-switch-fet-loss-calc-load-switch

器件型号：LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC
主题中讨论的其他器件：CSD25480F3、 CSD25483F4

工具与软件：

你好

我需要你的帮助

我正在设计 PCB 板、它需要能够在2个器件之间切换。

一般特性：
直流电压
电源- 12v 0.5A
电源- 9V 0.66A
电源- 5V 1.2A
总功率通常为6瓦

进行死区时间控制

逻辑
如果输入0 -器件1启用电源
器件2禁用电源

如果输入1 -器件1禁用电源
器件2使能电源

TI 是否有任何类似的 IC 功能？

  • 0
    TI__Guru**** 1953960 points
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    您好、Mykhaylo、

    感谢您的咨询。 我是 TI FET 产品系列的应用工程师。 只有分立式和电源块 MOSFET 器件。 在没有额外支持的情况下、我们没有可以在您的应用中工作的独立 FET。 我将把它重新分配给电源开关应用团队。 他们可能有适用于您的应用的产品。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET

  • 0
    TI__Guru**** 1953960 points
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    ZhengTao Dai said:
    (无附加支持)

    你好、约翰·华莱士

    感谢您的答复

    我对不同开关几乎没有经验。 由于这是一个原型设计、我对不同的方案很感兴趣、会构建一些 PCB 并对其进行测试。 您会得到什么？

    我可以使用此类 MCU 提供支持吗？

    逻辑

    1 0 -器件1

    0 1 -器件2

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    TI__Guru**** 1953960 points
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    尊敬的 Mykaylo：

    对于分立式实施、您可以使用 P 沟道 FET、比 N 沟道 FET 更易于驱动。 将每个 FET 的源极连接到输入电压、将漏极连接到各个负载。 PFET 通过将栅极拉至 GND 来打开、通过将栅极上拉至源极来关闭。 您应该能够使用上拉至输入电压的集电极开路输出直接从 MCU 驱动 P 沟道 FET 的栅极。 我推荐采用 F3 FemtoFET 封装的 CSD25480F3 -20V PFET、或采用 F4 (较小) FemtoFET 封装的 CSD25480F3 -20V PFET。 如果您有任何问题、敬请告知。

    谢谢！

    John

  • 0
    TI__Guru**** 1953960 points
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    我开始进行 PCB 原型设计、发现它是一个非常小的 FET (CSD25480F3)。 如果电压为12V、电流为0.5A、它是否可以正常工作？

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    TI__Guru**** 1953960 points
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    尊敬的 Mykhaylo：

    FemtoFET 是具有可焊接 LGA (基板栅格阵列)焊盘的小型芯片级 FET。 推荐的两种 FET 都具有-20V BVDSS、并将使用12V 输入。 这些 LGA 器件的最大功率耗散约为0.5W。 由于导通电阻较低、CSD25483F4和 CSD25480F3在1.2A 电流下的导通损耗估计分别为335mW 和214mW。 这在软件包的功能范围内。 请务必遵循 TI PCB 封装和模板建议、以确保成功组装到您的 PCB 上。 下面是指向 TI FemtoFET SMT 指南的链接。

    https://www.ti.com/lit/pdf/slra003

    谢谢！

    John