[参考译文] LM3644：在 mF 范围内添加大容量电容是否安全、以实现导通模式运行？

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您好！

我们正在使用 LM3644YFFR 驱动 IR 投影仪、并寻求有关在 OUT 引脚上放置大容量电容产生的任何不良影响的建议。 在我们的设计中、LM3644将在 IR 模式下工作、但我们不希望再进入升压模式、因为我们的 VIN 为3.9V、远高于 IR 投影仪的输入电压(即使考虑到 VHR 和 PMOS 压降裕度)。 我们希望在 OUT 引脚上添加1-4mF 级大容量电容、以减少流入器件的峰值电流。

• 根据数据表、当输出低于2.3V 时(例如在器件启动期间)、PMOS 将充当200mA 的电流限制器。 当1-4mF 打开时、这将在我们每次启用输出时导致几毫秒的 PMOS 调节。 您是否希望这样做可以缩短设备的使用寿命？
• 根据我们的理解、该器件绝不应进入升压模式、但大容量电容是否仍会在某种程度上对器件的稳定性产生负面影响？
• 根据我们的用例、我们是否可以移除 SW 电感器而不产生任何后果？