[参考译文] BQ25750：BQ25750 - PG 引脚闪烁且 REGN 复位

您好！

我刚刚遇到了另一个问题：

板由32V 供电、我连接了电池、开始充电。

充电过程中、我开始降低电源电压、这样就可以测试充电器的输入电流能力。  

当电压达到26V 左右时、电源进入 CC 模式、关闭。

之后、标有 X 的 MOSFET 损坏：

大家好、Mateus：

感谢您与我们一起完成这一工作。 我会在本周晚些时候给大家介绍。

此致、
埃森·加洛韦

您好、Ethan。

我更换了损坏的组件、现在电路板再次正常工作。

我注意到 PG 和 REGN 的闪烁行为仅在我禁用充电并启用 ADC_EN 位时发生。 我想、当充电被禁用时、IC 仅在短时间内打开 REGN_LDO、仅为了 ADC 读取读数、然后关闭、是这样吗？

大家好、Mateus：

我正在浏览您的原理图、并且我有一些评论：

• 我建议移除栅极下拉电阻器 R33、R44、R45和 R46
• 我建议在靠近开关晶体管的 VSYS 和 P_OUT 上安装一个1µF 电容器。 电容器有助于滤除高频噪声。 但是、这不会影响您目前看到的行为。
• 确保 QOSS 的 SW1/SW2上的电容小于160nF。
• SRN/SRP 和 ACN/ACP 滤波电容器需要为100nF。 即 C7、C8 C72和 C73。
• 此外、您是否正在使用 BQ25750？ 引脚32需要连接到 SYS 节点 . SYS 引脚附近还需要200nF 电容。

是的、开启 EN_ADC 会使 REGN 导通。 不过、在 ADC 开启时、PG 不应该闪烁。

如果您遇到任何其他电路板问题、请告诉我。

此致、
埃森·加洛韦

您好、Ethan

感谢您的支持！ 今天,我做了一些成功的测试,但我的 MOSFET 再次损坏。 (我进行的所有测试都是在充电电流小于3A 的情况下进行的)您是否认为所有这一切都是由连接到 VAC 的引脚32引起的？

此外,在测试期间,我注意到"死区时间"非常少,或 abscet。 是否正常？

大家好、Mateus：

我有几条建议。

是否有特别导致 FET 断开的测试？

您能否以并联方式移除 FET、从而总共使用4个 FET？ 那么电路是否仍然有问题？

Unknown 说：

此外、在测试期间、我注意到"死区时间"非常小、或 abscet。 是否正常？

您在 HIDRV 和 LODRV 之间看到了多少死区时间？ 大多数时候、死区时间真的很短。 不过、死区时间可以通过 I2C 命令来增加。

此致、
埃森·加洛韦

您好、Ethan

今天我无法继续测试、但下周我会继续测试。

关于死区时间、看起来两个 MOSFET 同时关闭、下面是一些屏幕截图。

大家好、Mateus：

感谢您提供的信息。 我将了解一下、下周同一时间再见。

此致、
埃森·加洛韦

大家好、Mateus：

我正在查看这些波形、但我对它们没太多了解。 您能回答几个问题来帮助我吗？

输入电压、输出电压和充电电流是多少？

VBAT 上的负载是多少？ 您知道为什么 VBAT 是方波吗？

是否使用单端探头测量 HIDRV2？

除了这些问题,它看起来不像 HIDRV2和 LODRV2同时打开。 您可能需要在 HIDRV 和 LODRV 上进行放大、以查看是否存在死区时间问题。

如果您有任何其他问题、请告诉我。 我还看到您将该线程标记为已解析。 我只想确认您的问题已首先得到解决。

此致、
埃森·加洛韦

您好、Ethan。

输入电压：12V

输出电压：33、6V

充电电流：从未使用超过3A 的电流进行过测试；

我说这错误、电池电压为紫色、绿色是节点 SW2。

我的意思不是将问题标记为已解决、我现在可以做什么？

Ethan  

是否有其他通信方式？ 如果可能的话,我想分享一些关于布局的信息,但我不能把它发送到这里,因为它是私人的。

大家好、Mateus：

感谢您的澄清。 这些波形看起来不会发生击穿。 不过 HiDRV 看起来有点奇怪。 如果可能、您是否可以使用差分探头测量 HIDRV？

此外、您是否尝试过仅使用4个开关 FET？

如果您向我发送朋友请求、我们可以通过私人消息进行通信。 这对您有用吗？

此致、
埃森·加洛韦

您好、Ethan

我发送给您的这些屏幕截图是仅使用4个 MOSFET 拍摄的。

我认为 HIDRV 信号很奇怪、因为转换器处于不连续模式。

我向您发送了朋友请求。