工具与软件:
大家好、 TI 团队
我按之前描述的那样拿到了修订版电路板、并按电池电压情况进行了测试。
最后一次可在使用48V 电池的输入55V 时探测、在更改 MOSFET 和添加自举二极管后运行良好。
但是、此时我发现栅极驱动行为存在其他问题。
-输入: 12V
- VCHG : 14.3V.
- ICHG : 1A.
- IPRE : 900mA
- ITERM : 900mA
- 频率: 300kHz(100kOhm)
在 CC 模式下、高于12.5V 的电池电压会定期启动电流纹波。
I 测量了一次升压栅极、同时 HS 栅极降低为半频。 电压降实际上会导致更大的纹波。



如果我设置为 Gate_Driver_Strength_Control 寄存器、它是否可以获得更好的性能?
请检查您以前是否遇到过此行为、并让我知道如何操作
提前感谢您。
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