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[参考译文] BQ25750:BQ25750栅极驱动器行为

Guru**** 2511415 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25750

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1442113/bq25750-bq25750-gate-driver-behavior

器件型号:BQ25750

工具与软件:

大家好、 TI 团队

我按之前描述的那样拿到了修订版电路板、并按电池电压情况进行了测试。

最后一次可在使用48V 电池的输入55V 时探测、在更改 MOSFET 和添加自举二极管后运行良好。

但是、此时我发现栅极驱动行为存在其他问题。

-输入: 12V

- VCHG : 14.3V.

- ICHG : 1A.

- IPRE : 900mA

- ITERM : 900mA

- 频率: 300kHz(100kOhm)

在 CC 模式下、高于12.5V 的电池电压会定期启动电流纹波。

I 测量了一次升压栅极、同时 HS 栅极降低为半频。 电压降实际上会导致更大的纹波。

如果我设置为 Gate_Driver_Strength_Control 寄存器、它是否可以获得更好的性能?

请检查您以前是否遇到过此行为、并让我知道如何操作  

提前感谢您。

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    Ben、您好!

    感谢您耐心回答这个问题。 下周我会解答您的问题。

    此致、
    埃森·加洛韦

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    Ben、您好!

    感谢您的配合。 我有几个问题可以帮助解决此问题:

    • 如果将开关频率增加到400kHz 之类的频率、纹波是否会变得更好?
    • 您能否将原理图发送给我、以便确保我拥有最新版本?
    [报价 userid="551379" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1442113/bq25750-bq25750-gate-driver-behavior ]]我测量了升压门一次、同时 HS 门降低一半频率。 因此产生了电流纹波[/报价]

    这是充电器的预期行为。 在降压-升压模式下、升压栅极侧的开关频率为开关频率的一半。

    [quote userid="551379" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1442113/bq25750-bq25750-gate-driver-behavior 如果我设置为 Gate_Driver_Strength_Control 注册表、它能获得更好的性能吗?

    这不应该改变性能。 默认情况下、栅极驱动器设置为最大强度。

    此致、
    埃森·加洛韦

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    Ethan、您好!

    我已经通过测试、将开关频率增加到400kHz。 (FSW_SYNC 端口上的100k Ω> 68k Ω)

    电流纹波有所降低、但这是短暂的测试、因此我认为降压/升压模式尚未启动。 我将测试充电全周期。

      >>  

    q1)如果频率设置为400kHz、我测试充电器是什么副作用?

    Q2)是否还有其他方法可以在不增加频率的情况下获得更好的性能? (例如更改电容、电感器、FET、布线指南等)

    Q3)在400kHz 频率下运行时、LS 栅极导通时间短为毫微。 BQ25750开关行为是否是可接受的时间?

    这里有版本原理图、我更改了 FET、并添加了 LDO 作为外部栅极驱动器电源(但未使用、准备就绪)、供您参考

    Charger_Rev 4.4.

    提前感谢您。

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    您好!

    由于美国节假日、我们的回复将会延迟、由此给您带来的不便、我们深表歉意。

    此致、

    Wyatt Keller

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    Ben、您好!

    感谢您耐心等待美国假期。

    1.提高频率可降低输出电压,允许使用更小的输出电容。

    2.是的,还有其他的选择。 请参阅下面的原理图建议。

    3.开启时间应该是可以的。

    我对原理图有几条建议。

    • 我建议将 RC 滤波器与 ICHG 和 ILIM_HIZ 电阻器并联安装。
    • BSC034N10LS5ATMA1对于开关 FET 具有相当高的 Vth。 如果使用更高电压的栅极驱动电源或将 FET 更改为更低的 Vth、噪声是否会改善?

    为了帮助我们调试这一点、您能否使用示波器捕获 SW1和 SW2?

    此致、
    埃森·加洛韦

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    Ethan、您好!

    谢谢你的建议,我错了点击来解决问题按钮。,不管怎样。

    • 我建议将 RC 滤波器与 ICHG 和 ILIM_HIZ 电阻器并联安装。
      • 在下一版本中、我将添加与 ICHG 和 ILIM_HIZ 电阻器并联的 RC 滤波器。

    • BSC034N10LS5ATMA1对于开关 FET 具有相当高的 Vth。 如果使用更高电压的栅极驱动电源或将 FET 更改为更低的 Vth、噪声是否会改善?
      • BSC034N10LS5ATMA1没有更高的 Vth。 它与 EVM 中的 AON6226具有相同的 Vth 电平、最大值为2.3V。  

      • 当我切换了电压更高的栅极驱动器电源(外部电源)时、这种症状暂时减少、但在蓄电池电压增加(充电)后又恢复。

      • 我认为、这取决于 FET 栅极 Vth 电平的栅极驱动功率。
      • 哪个 FET 参数对该问题至关重要?   

    为了帮助我们调试这一点、您能否使用示波器捕获 SW1和 SW2?

    情况1。 频率 400kHz

    情况2。 频率 300kHz

    情况3. 频率 300kHz +外部栅极驱动器电源(减小但恢复正常)

    谢谢你。

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    Ben、您好!

    感谢您提供新信息。

    BSC034N10LS5ATMA1没有更高的 Vth。 它与 EVM 中的 AON6226具有相同的 Vth 电平、最大值为2.3V。  [报价]

    感谢您向我指出这一点。

    我还有几个问题可以帮助改善纹波:

    • 您能告诉我 EN_PFM 位的状态吗? 我们建议在终止电流低于2A 时设置 EN_PFM=0。 也可以通过向 FSW_SYNC 引脚应用外部时钟来禁用 PFM。
    • 您可以将您的寄存器文件发送给我吗?
    • 在 VBAT_IN 和 PGND 之间安装另一个10µF 电容器是否可以改善纹波?
    • 您能给我发送一下电路布局吗? 您可以通过 E2E 向我发送朋友请求并根据您的意愿向我发送布局消息。

    此致、
    埃森·加洛韦

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    Ethan、您好!

    -我在测试本例时禁用了 EN_PFM 位。

    -注册文件: 文件

    -我安装了一个 10uF MLCC 从 VBAT_IN 到 PGND,它仍然有纹波.

    -我会通过 E2E 消息把电路布局发送给您。

    提前感谢您。

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    Ben、您好!

    感谢您提供信息。 寄存器一目了然。

    当您发出后、我会再看一下原理图。

    此致、
    埃森·加洛韦

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    您好 Ethan

    我已将原理图和布局发送给您。 请检查您的消息框。

    谢谢你。

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    Ben、您好!

    感谢您向我发送新信息。

    我会在那里回复您。 我将把该线程标记为现在已解析。

    此致、
    埃森·加洛韦