工具与软件：
嗨、团队：
客户发现、在这篇文章中、我们建议客户使用此工具。 我想与您确认 TI 是否认可此工具的真实性和可靠性。
如果它是真实可靠的,你能解释判断基础和逻辑表?
https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC /修订版 B
您好、Alan：
FET SOA 应力计算
有关 SOA 计算的更详细说明、请参阅第2.3节 "了解 MOSFET 可靠的热插拔设计的应力限制"应用手册。
为了便于您理解、下面是一个分步过程(摘自应用手册)、
推算 T2。 这里的近似值是、在 t2持续时间内、功率损耗= P2 = PMAX 时 FET 承受应力。
请记住、下表中的 SOA 值需要在 FET SOA 曲线中的 VDS = V频繁(max)条件下计算。
该值可用作温度。 开关损耗、
SOA (TC)> 1.2 x (VDS)
其中、
SOA (TC)来自步骤3
P2从步骤1开始
VDS = 4.7V (max)
系数1.2计算为包含20%的裕度。
此致、
Shiven Dhir
尊敬的 Shiven：
我对这两个公式有疑问、您能解释一下它们是如何推导的吗？
非常感谢！
此致、
好
您好、郝
Tstart 是根据电容公式 I =CDV/dt 计算得出的
其中标记的框是启动期间功率限制和电流限制模式的平均值。
第二个方程就是这样推导出来的。
此致、
Shiven Dhir
尊敬的 Shiven：
感谢您的答复！
我想知道为什么 
,这个公式是如何得到的?
此致、
好
您好、郝
SOA 曲线在对数坐标图中沿着一条直线。 这可以使用标准的幂函数进行估算。
这用于查找 FET 数据表中通常未提到的差分时间间隔的 SOA。
此致、
Shiven Dhir
尊敬的 Shiven：
我对这款器件有点困惑。
我 认为将三角形转换为矩形过于保守。
等效曲线假设当 VDS 发生变化时功率限制相同、但实际上、在启动过程中、VDS 会降低、而相应的功率限制会增加。 是因为没有更好的等效解决方案？
此致！
好
尊敬的 Shiven：
我对计算工具有疑问。 似乎工具只提到了输出电容的影响、但实际上、输出通常是 μ π 级滤波。 该电感器是否会对计算产生影响？
此致！
好
