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[参考译文] LMG1210:用于产生负电压脉冲(B 类或 D 类)的放大器

Guru**** 2507255 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1210

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1465395/lmg1210-amplifier-to-produce-negative-voltage-voltage-pulses-class-b-or-class-d

器件型号:LMG1210

工具与软件:

大家好!

设计具有以下要求的电压放大器:

-负载:最大电容350nF

-输出: 0V 至-40V (梯形脉冲,带受控的斜升/斜降)

-转换率限制:40V/us

这意味着在斜升/斜降期间、我们可以达到14A、而在达到稳定期间和脉冲间隙时没有电流。 在 B 类(带反馈)中、MOSFET 将在每个斜坡期间消耗~250W 的功率。

我想知道使用具有快速开关频率和晶体管(可能是 GaN)的 D 类开关放大器是否可以降低功耗。 主要挑战在于高开关频率(>LMG1210)、但我看到它需要研究能够达到50MHz 的栅极驱动器、例如10MHz。  

但我不确定此类栅极驱动器是否能够驱动0V 至-40V 之间供电的 MOSFET 对? 需要隔离式栅极驱动器。

另外、非常感谢大家对如何实现这样一个具有较低功率耗散的电路的想法。

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    要使用具有负总线电压的非隔离式栅极驱动器、栅极驱动器 VDD 和 VSS 将需要负偏置。

    LMG1210、VDD、VIN、PWM、EN、 DHL 和 DLH 都必须参考 VSS。 如果将-40V 视为 GND (VSS)并使用其中的所有数学运算作为基准、那么您应该会觉得不错。

    您可以直接在 VDD 上为 VSS 提供5V 基准电压、只需将 VIN 连接到 VDD。 这意味着、VSS 将为-40V、VDD 将为-35V。 您需要使用浮动电源、以确保 VDD 真正以-40V 为基准。 输入也是如此。  

    关于 HB-HS、您将需要从 HB-HS 到功率 HB 基准 HS 的另一个浮动电源(隔离式电源)。  

    谢谢!

    Walter

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Walter、

    非常感谢您提供的宝贵意见。 我想我现在可以绕着所需的不同电源以及如何引用它们。  

    关于隔离式栅极驱动器、这是否会使设计在所需的电源电压方面更简单、并且是否有任何器件能够在这些高频下开关/驱动 MOSFET/GAN?

    假设我的电源为0V 至+40V、将开关电路实施为逆变器、这也是一个有趣的选择吗?  

    谢谢!

    Miguel

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Miguel、您好!

    将栅极驱动电路设计为正向电压然后反向可能会更简单。

    隔离式驱动器栅极驱动器可能无法以所需的速度进行切换、并且功耗较低。

    如需选择隔离式栅极驱动器、请 访问 https://www.ti.com/power-management/gate-drivers/isolated-gate-drivers/products.html

    谢谢!

    Walter