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[参考译文] UCC21750-Q1:Sort Circuit Test

Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21750-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1480408/ucc21750-q1-sort-circuit-test

器件型号:UCC21750-Q1

工具与软件:

尊敬的 SIRs:

我会将 UCC21750-Q1置于电源中以驱动 MOSFET。 我有两个不同的电源板、X 和 Y。在进行击穿测试时、我遇到其中一个电路板有问题。
测试条件:对于两块电路板、底部 MOSFET 的漏极和源极短接、我将向顶部 MOSFET 施加一个8μs 脉冲。
*电路板 X 在短路测试期间在800V 直流电压下正常工作。 我附上了波形供您参考。
其中、
1通道:黄色通道=漏极和源极顶部 IGBT 之间的 VDS 电压
2通道: 蓝色通道=短接2X 时的电流= 128A
4通道: 绿色通道= MOSFET 上的栅极信号  
*电路板 Y 在短路测试期间表现出问题行为,仅在100V DC 时允许约960A。响应时间设置为1.8μs。 我还附上了电路板 Y 的波形
其中、
2通道:蓝色通道=漏极和源极顶部 IGBT 之间的 VDS 电压
1通道:黄色通道=短接2X 时的电流= 960A
4通道:绿色通道= MOSFET 上的栅极信号  
我无法解释这种行为、非常感谢您的指导。 如有必要、我可以提供额外的数据。
感谢您的时间和帮助。
此致、
Kaushik
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    尊敬的 Kaushik:

    我不明白为什么在 IGBT 闭合时、电路板 X CH1 (高侧 Vgs)在8us 内不会降至0V。 脉冲可能只有2us?

    这两个不同的 IGBT 器件型号吗? 不同的 IGBT 具有不同的开通时间、这可以解释为什么第二个测试的电流更高。

    此外、测试1在栅极上有很多谐振。 可能它未像在第二个测试中那样强大地开启高侧。 什么被认为是有问题的? 在短路测试中、我预计电流会非常高。

    此致、

    Sean

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    先生、
    你是对的,我也对为什么 VDS 不下降感到困惑。
    脉冲宽度为8us、但会跳闸并将宽度降至2us (响应时间)。
    然而、正如您提到的、栅极上的共振、它通过防止电流上升超过200A 来满足我的目的。
    是的、先生、 两个电路板都使用了具有相同器件型号的 MOSFET。
    X 板中的这种谐振是否与有源米勒钳位有关?
    谢谢!
    Kaushik
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    尊敬的 Kaushik:

    类似这样的谐振通常与充当共漏极放大器的高侧 MOSFET 的反馈有关、因为它在经过其饱和区域的过程中到达 RDSon 区域。 您可以尝试通过栅极上的铁氧体磁珠打破该频率下的反馈环路、从而在谐振频率下更大限度地提高阻抗。

    更持久的解决方案是消除 LC 开关节点振铃。 您可以改进 HV 去耦、从而尝试降低高侧漏极电感、并且可能存在来自本地电容器的此谐振频率下的串联 ESR。 电解电容器可以做到这一点。

    您还可以升级到 SiC FET。 这些器件在饱和模式下的增益为 Si MOSFET 的1/10、并且不会产生太多正反馈。  

    此致、

    Sean

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    先生、
    感谢您的宝贵见解。 我将实施您建议的经验、看看如何发展。
    此致、
    Kaushik