工具与软件：
您好、BMP 团队、
我对客户关于 BQ79631-Q1测试有一些问题。 您能帮助澄清一下吗？
IR 测量 电路
BQ79631的 IR 测量电路在 PACK 正总线上存在纹波的情况下确实很困难。 该纹波 是用户踩下加速器导致的、从总线汲取的电流、并且由于电池的内部电阻、电压可能会显著变化(纹波)。 使用 EVM 时、在 RISO 为40k Ω 的情况下、IR 开关闭合和断开之间存在3mV 的差异。 这会导致误差高于直流母线上的纹波可接受的精度。
我们正在考虑降低电阻(x3)、从而在40k Ω RISO 下使 IR 闭合和开路之间产生~10mV 的差异。 通过额外的基于软件算法的滤波、我们能够在降低电阻值后达到 FMVS 标准所需的精度。
我们不应降低 IR 测量链中的电阻值是否有任何原因？ 我们的目的是保持近似 比率、同时将电阻降低~3倍。 在该电阻下、进行 IR 测量时、 2mA 流经用户触摸电池包和机箱。
具有24.9k Ω 电阻器的 HV 测量电路
该 EVM 使用4个330k Ω 串联电阻器、并联两个24.9k Ω 电阻器、以执行某些 HV 测量。 这会导致泄漏电流 FET 在较高电压下不会一直导通、并且使 ADC 测量的电压与 ~320V 相关。 这可以通过使用两个并联的 13.5kOhm 电阻(类似于 EVM 上的其他一些分压器)来解决。 最终、这是由连接到分压器输出的 FET 源极造成的。 其他用户是否使用 EVM 时遇到过此问题？
HV 测量漏电流
TSREF 基准电压能否拉出和灌入电流？ 如果 TSREF 无法按预期灌入电流、则应减小负侧电阻器、以便从正侧测量中灌入电流。 当前设计没有裕度(当使用来自 EVM 的 HV 测量字符串时)。 将三个10k 电阻器更改为5k 电阻器应可以解决此问题。 您是否看到将10k 电阻器降低到5k Ω 时会出现任何问题？
高压测量电路负电源轨
在测量负高压轨(例如 Veh 负数)时、泄漏电流 FET 如何导通以进行高压测量？ 电源通过10k 连接到 veh 负极总线、该总线相对于 PACK 负电源轨浮动。 栅极由相对于电池组负极的12V 信号控制。 在 PACK 负极和 VEE 负极完全隔离的情况下、该 FET 如何确定性导通？ 可能最好安排一次30分钟的电话会议来讨论这个问题、我们可以逐步调整这些值并进行仿真。
