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[参考译文] LMG1210EVM-012：在接近50MHz 时开关的推荐 GaN FET

admin
Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1210

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1479966/lmg1210evm-012-recommended-gan-fets-for-switching-near-50mhz

器件型号：LMG1210EVM-012
Thread 中讨论的其他器件：LMG1210

工具与软件：

您好！

我将尝试在不对 LMG1210进行任何热节流的情况下将负载驱动至尽可能接近50MHz。 使用评估板、我能够使用库存的 EPC2001C FET 了解大约22MHz、然后开始绕过芯片的 LDO 来降低温度、但我想更快地驱动它。 我将 EPC2014C 视为之前 FET 的直接替代产品、因为芯片外形与 EPC2001C 几乎相同、只是没有引脚6-11。 是否可以从评估板上移除 EPC2001C 并放入 EPC2014C 替代器件、以在更高的频率下运行？ 如果是、是否需要进行任何其他修改、例如对自举电容器进行修改？

谢谢你

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    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    EPC2014C 的较低栅极电荷应该可以提高开关速度。 由于 FET 栅极电荷较小、因此不需要更改自举电容器。 确保不超过  EPC2014C 的40V VDS 额定值。

    引脚宽度间距略有不同、但如果新 FET 正确地位于焊盘中心、则可能是合适的。

    谢谢！

    Walter

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    TI__Guru**** 2494635 points
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    Walter、

    我在不更换自举电容器的情况下放入了新 FET。 在测试过程中、我最初看到在高于22MHz 的频率下性能极差、甚至比中的 EPC2001C 更差。 我在 PWM 模式下提供输入信号、跳线 J3短接、J6开路、就像电路板到达时一样。 但是、切换到独立模式后、我看到的所有性能问题都消失了、并且电路板似乎没有热调节或驱动 FET 的问题、即使在50MHz 附近也是如此。  

    为降低设计复杂性、最好在 PWM 模式下使用 LMG1210、而不是将其独立使用。 您是否了解两种运行模式之间的性能差异以及 PWM 是否可以改进？

    谢谢！
    Joshua Herschell

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    TI__Guru**** 2494635 points
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    你好、Joshua

    根据 PWM 模式中的死区时间设置、它可能会限制最大开关速度。 使用 PWM 模式时、您是否已调整死区时间调整电位器以设置最短死区时间而不发生击穿？

    谢谢！

    Walter