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[参考译文] LM5122:具有双相交错配置的快速入门计算器

Guru**** 2494635 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1479182/lm5122-quick-start-calculator-with-dual-phase-interleaved-configuration

器件型号:LM5122

工具与软件:

嗨、团队:

我的客户希望使用计算器来计算 MOSFET 功率损耗、以便进行热评估。
该设计是一种双相交错配置、每相位并联一个高侧 MOSFET 和"两个"低侧 MOSFET。

您能否指导我如何正确填写 MOSFET 参数以得出每个 MOSFET 的功率损耗? (假设计算器用于一个相位以及一个 HS 和一个 LS MOSFET)。 谢谢!

填充的相位数= 2。   

需要填充 MOSFET 参数:对于双相和并联 MOSFET 配置、考虑使用双倍或半倍?  

此致、
Sam Ting

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Sam、

    感谢您使用 e2e 论坛。

    遗憾的是、快速入门计算器的效率表没有用于并联 FET 的功能。
    正如您已经假定的那样、计算器每相包含1个 HS 和 LS MOSFET。

    如果低侧并联使用两个 MOSFET、则会暂停总 RDS_ON、但栅极电荷和栅漏极/栅极源极电荷将加倍。
    其他参数不应受到影响。

    我会使用这种方法来填写计算器。

    如果在计算器上还有其他问题、敬请告知。
    此致、
    Niklas