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器件型号：LM51772 工具与软件：
尊敬的埃米尔和马当斯：
在 LM51772的数据表中、第12页显示了死区时间、但我有一个关于此死区时间的问题。
(1)
在上表中、0.1 MHz 的死区时间为42ns、2.2 MHz 的死区时间为19.5ns。
从第20页图5-23中的图可以看出、0.1 MHz 为24ns、2.2 MHz 为16ns。
我是否正确理解此图上的特征只是一个代表性示例？
(2)
在第86页、SEL_MIN_DEADTIME_G DRV 2MHz 的初始值为20ns、但我想知道此参数与第12页规格之间的关系。
在第12页上、 SEL_MIN_DEADTIME_G DRV 为0x01 = 20ns、
转换(死区)时间：在0.1MHz 时为42ns
转换(死区)时间：在2.2MHz 时为19.5ns
我不理解上面的关系。
(3)
我知道、禁用 EN_CONST_TDEAD 会禁用最小 Tdead 的频率相关性。
这是否意味着特征将如图5-23所示？
在这种情况下、这与问题(1)重叠、但我应该考虑多少死区时间？
此致、
Masashi
