[参考译文] LM51772：死区时间

Stefan、您好！

感谢您的答复。

我们在下面还有其他问题。

我知道数据表第12页是典型值。

检查图5-23中的死区时间、我们可以看到它约为以下值。

(1)

在100kHz 时、将产生接近40%的误差(=24ns/42ns)。

对于死区时间、我们应考虑多大的误差？

(2)

数据表指出、当启用 SEL_SCALE_DT 时、死区时间增加15ns。

我想这些特性显示在图5-24中。

SEL_SCALE_DT 为0b0时的图不是5-23中的图？

(3)

如果启用了 SEL_SCALE_DT、则无论频率如何、死区时间是否都会均匀地延长15ns？

此致、

Masashi

尊敬的 Masashi：

我来核对一下这些数据。 我会在本周结束前回来。

此致、

 Stefan

Stefan、您好！

感谢您的支持。

我们已经阐明了数据表中提到的死区时间。

我认为您的答案中所描述的图5-24和图5-23是正确的、但您知道死区时间应该有多大的误差吗？

此致、

Masashi

尊敬的 Masashi：

对于特定配置、您是否需要它？ 我可以检查是否有一些可用的测量值。

但这只是一些参考数据、此参数未经生产测试、仅为典型值。

此外、该器件会检查驱动器级的相反信号线、并且仅在检测到相反级关断时才将其自己的级更改为导通。

这也会影响由外部元件引起的死区时间。

此致、

 Stefan

Stefan、您好！

客户正在使用的 FET 如下所示。

降压侧 FET：YJG5D5G03A

升压侧 FET：YJG85G06H

如果开关频率为100kHz、但如果开关频率增加到150kHz 或400kHz 等、开关可能会停止、则会起作用。

此致、

Masashi

尊敬的 Masashi：

该 MOSFET 的米勒平坦度对于 LM51772来说过高。 您应该在此处选择另一个。

另一个没问题。

此致、

 Stefan