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[参考译文] BQ25713:当 CHRG_INHIBIT 被改变时、VSYS 显示尖峰

Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25713

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1470678/bq25713-vsys-shows-spikes-when-chrg_inhibit-is-changed

器件型号:BQ25713

工具与软件:

大家好、团队成员:

在 未连接电池时、我在将 CHRG_INHIBIT 写入1时遇到问题、 VSYS 显示电压尖峰比 BATT 高1.8V。

我们的电路采用数据表中写入的值(VSRN+160mV)设计、因此+1.8V 可能会导致损坏。

可以限制尖峰吗?



谢谢你。

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    明天我再给你。

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    要了解圈出的区域、请监测 SDA/SCL 并查看向充电器发送了什么命令。 此外、还请在事件前后提供原理图和寄存器转储。  

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    这是 SDA/SCL。 命令为0x6B 0x00 0x1f。

    很抱歉、我无法在此提供原理图和寄存器、因为它们是机密信息。 您希望检查哪个器件?

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    大家好、 Kohsuke、

    VSYS 过冲似乎是由于 VBAT 升高所致。 我们没有过冲规格。  

    此致、

    老虎

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    您好、Tiger、
    在这种情况下、VBAT 上未连接电池、因此 VBAT 上升是由 BQ25713引起的。  虽然没有规格、但是是否有可能限制 这个过冲?

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    我建议您添加更大的电池电容、例如 VBAT 电源轨上的22uF 或33uF。  

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    感谢您 的建议。 通过添加33uF 电子电容器、过冲降至500mV。
    但是、添加电子电容器会影响产品尺寸。 那么、您是否可以有任何其他方法来对其进行改进、例如修改寄存器或调整反馈电路?

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    除了添加更多的 VBAT 电容器或添加电池、简直无法想象。 这与补偿无关。  

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    我理解。 感谢您的支持。