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[参考译文] LM74704-Q1：能否使用具有高总栅极电容的 FET？

admin
Guru**** 2494635 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1477904/lm74704-q1-can-large-fets-with-high-total-gate-capacitance-be-used

器件型号：LM74704-Q1

工具与软件：

您好！

我想使用具有高电容属性的大型 FET。
https://www.digikey.be/en/products/detail/analogue-power-inc/AM90N08-04B/23019514

总栅极电荷= 167nC
反向传输电容 Crss = 970 pF

我在数据表中找不到有关基于电容属性的选择标准的任何注释。

是否存在任何隐式计时器/机制期望 FET 具有特定大小、从而导致"较大"FET 出现问题。

谢谢

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    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Senthil：

    更改 MOSFET 属性后、可以根据以下公式缩放控制器的电荷泵电容器。

    此致、

    Shiven Dhir.

  • 0
    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Shiven：

    很好、所以 FET 上没有隐式或显式限制：)

    虽然我有你的帮助,工作通过 VCAP 的价值

    上述链接 FET AM90N08-04B 的 Ciss 为11678 pF = 11.7nF。
    VCAP 的建议值为~117nF (对于 VCAP)。

    只是为了确认、该推荐值是最佳值、因此没有任何好处可以继续提高、比如220nF？

    再次感谢

  • 0
    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Senthil：

    提高电容值没有好处。 但最接近的标准值可能仅为220nF。

    此致、

    Shiven Dhir