[参考译文] LMG2100R044：应用查询

尊敬的 Renan：

为您提供的一些答案：

1.从高层次看、GaN FET 是增强模式器件、这意味着除非在栅极上施加正电压、否则它们不会导通。 在启动期间、LMG2100器件必须监测低侧 FET 的 VCC 电压和高侧 FET 的 HB/HS 电压、其中每个 FET 都具有欠压锁定功能。
根据断开 PGND/HB 的电压以及输入逻辑状态 HI/LI、"输出"开关节点(SW)将短接至 VCC 或高阻抗(如开路)。

第7.3.2节：启动和 UVLO  的详细说明介绍了启动注意事项和逻辑表、请参阅此内容以了解详细说明。

2.自举电容必须足够大以便能够保持高侧 GaN FET 开关所需的电荷、但不能过大以至于充电时间会影响开关周期。
从我们的测试中可以看出、0.1 μ F 的陶瓷电容器是适用于大多数情况的最佳选择、我向您推荐。 如果您想分享您的特定开关条件、我们可以看看是否有任何突出的条件会使该建议无效。 根据我的经验、当所需的占空比非常大时、自举电源最常见的问题就会出现。 在这种情况下、低侧器件开启的时间不足以为自举电容器充电、这可能需要使用专用的高侧电源。  

谢谢！
Zach S  

尊敬的 Renan：

感谢您添加更多澄清、我理解您现在为什么会有这些顾虑。
这是周期性或矩阵转换器应用？ 我们将这些视为逆变器领域中的新兴拓扑、并由团队成员进行处理。

我需要联系我们的一个团队、探讨空间矢量调制问题、看看这是如何影响自举实现的。 我将在下周早些时候与您联系。
同时、如果可以、请分享有关转换器的更多详细信息。

谢谢！
Zach S

尊敬的 Renan：

不用担心,感谢反馈。 我已经联系了我们的 SEM 团队、他们在 SVM 方面有丰富的经验、明天我会再来回答。

谢谢！
Zach S