This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1475550/lm5146-adaptive-dead-time-control
工具与软件：
对于 LM5146自适应死区时间控制、我的理解是自适应死区时间控制电路将内部 MOSFET 栅极电压与1V 进行比较。 在比较器触发后、在开启另一个栅极信号之前存在延迟。 是这样吗？ 内部延迟时间是多少？ 如果可能、您能否分享典型的延迟值？ 此外、数据表中是否有方框图或进一步的文档更详细地说明了此过程？
尊敬的 Hua：
我会研究这件事并回复给您。
此致、
TIM
Tim、您好！
我只是想跟进这个问题。 作为一名设计工程师、在将组件集成到产品之前、我需要了解元件的详细信息。 如果您能提供更多信息、请告诉我。
谢谢！
我的理解是、我们只分享数据表 EC 表中引用的死区时间规格。 您可以通过检查开关转换附近的 SW 电压下降来测量实际死区时间。
该数据表仅指定从50% LoFF 到50% Hion (或反之)的转换时间。 如果使用不同的栅极电阻器和 MOSFET、这些值是否仍然有效？ 此外、"自适应"是否意味着这些值不是固定的？
您只能在高侧 FET (不能在低侧)上使用栅极电阻器。 这可能会将死区时间从 LO 关断延长到 HO 导通、因为高侧 FET 导通速度较慢。
