[参考译文] LM74930-Q1：关于 Ciss 的上限

尊敬的 Masamu：

FET 完全导通后、请在无负载的情况下尝试启动并打开负载。  

您可以使用该工具缩放启动。

FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven Dhir：

感谢您的回答。

使用该工具重新设计后、CdVdT 似乎过大、因此通过更改 CdVdT、实现了"关闭"至"开启"运行。(Vin=20V、Rload=1Ohm、Iload=20A)

但是、当我将 EN 引脚拉至低电平来关闭电路时、LM74930发生故障、不再打开。
我不知道为什么会失败。 我试过几次,每次都断了,浪费了部件。

另外、我应该如何设计 Rg？ (我目前使用100欧姆)

顺便说一下、在 LM749X0数据表中、Vin 侧的 FET 连接到 DGATE、而输出侧的 FET 连接到 HGATE。 (共漏极)

另一方面、在 LM74930数据表中、Vin 侧的 FET 连接到 HGATE、而输出侧的 FET 连接到 DGATE。 (源公用)

LM749X0和 LM74930的数据表方框图几乎相同、但为什么其中一个在共漏极配置中、而另一个在共源极配置中？

哪种配置更适合大电流？

谢谢你。

尊敬的 Masamu：

请阅读数据表中的以下部分。 将 EN 拉至低电平可能会产生电感瞬态。

Rg 为100欧姆可以接受。

只要在 HGATE FET 完全导通后打开负载、对于较大的电流、这两种配置都是相同的。

它们的设计不同、可根据终端应用支持不同的配置(共源极/共漏极)。

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven Dhir：

感谢您的回答。

在检查电路后、SBD 似乎已断开。
更换 SBD 后、它可以正常工作。

考虑到输出电流和反向电压、我应该选择的 SBD 的最大电流和电压耐受能力是多少？

谢谢你。

尊敬的 Masamu：

您将 SBD 放在了哪里？

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven Dhir：

抱歉。
此部分位于输出端和 GND 处、指示"使用肖特基二极管吸收负尖峰"。
这是一个插入在 Vout 和 GND 之间的 SBD。

谢谢你。

尊敬的 Shiven Dhir：

感谢您的意见。

数据表中未提供"非重复峰值浪涌电流额定值"的电压值(Vf)、但 SBD 制造商能否提供答案？

例如、对于名为 FERD40H100S 的器件、稳态电流额定值为40A、"非重复峰值浪涌电流额定值"为440A、但该图在100A 瞬时流动时未显示 Vf。 当100A 从数据表上的另一项瞬间流动时、是否有办法(计算等)确定 Vf？

我还有一个关于下面图片的问题。

例如、如果"a"和"GND"之间的电压为-20V、理解"OUT"和"GND"之间的电压范围是-20V 至50V (70+(-20)=50)是否正确？

谢谢你。