电源管理（参考译文帖）(Read Only) - 最近的话题

[参考译文] TPS543820：器件选择：为 Artix/Kintex UltraScale+ VCCINT_VCCBRAM (0.85V) 供电

admin — Thu, 21 May 2026 07:47:37 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1648051/tps543820-part-selection-powering-artix-kintex-ultrascale-vccint-vccbram-0-85v

器件型号： TPS543820
主题： TPS568231、 TPS543620 中讨论的其他器件

您好、

我正在寻找电源转换器建议、以便为 Xilinx UltraScale+ FPGA 的 VCCINT、VCCINT_IO 和 VCCBRAM 电源轨供电（我使用特定的 Artix 25P 或 Kintex 3P/5P）。

我的要求：

VIN： 5V（由上游 12V 至 5V 降压供电）
VOUT： 0.85V（建议工作电平为 0.825V 至 0.876V）
IOUT： 来自 AMD PDM 的标称值为~3A、因此、为了安全裕度、我采用 4A 功能。
斜坡时间： 最小 0.2 毫秒。
纹波/容差： 交流纹波 <=2%、直流容差<=1%。

最初、我比较了 TPS543820 （ACM 控制）和 TPS568231 (D-CAP3)。

从 AMD Power Efficencny Solutions 来看,大多数转换器似乎对我的应用来说都是大材小用。

此外、由于我的输入为 5V、如果出现瞬态骤降、TPS568231 的 4.5V 最小 VIN 会感觉过于接近我的 5V 电源轨。

由于我正在以 5V 电压运行、因此是否应该改用 DCS-Control 的最大 6V VIN 器件（例如 TPS62815 6A）来处理 FPGA 内核的快速负载瞬变？
在 TPS568231 或 TPS62815 等芯片上具有+–1%的基准精度、0.1%反馈电阻是否足以保证 UltraScale+所需的严格+–1%的总体直流容差、或者是否严格需要像 TPS543820 这样具有 0.5%精度的器件？
我还想用较小的电流 (6A) 来为需要大约 4.5A 电流的 1.8V 电源轨供电、因此我可能希望用同一器件不与 tps543820 拥有的几个系列搭配使用 (tps543620)
任何其他器件推荐都很好

谢谢！

RE: [参考译文] TPS543820：器件选择：为 Artix/Kintex UltraScale+ VCCINT_VCCBRAM (0.85V) 供电

admin — Fri, 22 May 2026 18:44:31 GMT

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您好、Michael：

我认为 TPS543820/TPS543620 应该在这里运行良好。如果 Vout 精度也需要为+/- 1%、那么我将不使用精度为+/- 1%的 Vref 器件、因此您将需要 TPS543820 的 0.5%精度。

谢谢、

Carson

[参考译文] TPS25982：电子保险丝热保护

admin — Fri, 22 May 2026 10:26:44 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1648555/tps25982-efuse-thermal-protection

器件型号： TPS25982

您好、

我们目前正在为即将到来的自主移动机器人开发 24V 配电。到目前为止、我们使用的是 TPS259827L、但容性负载非常大、以至于我们在不触发热保护的情况下很难将其导通。遗憾的是、更改配置没有太大帮助、快速或慢速 dVdt 的结果非常相似（数据表图 8-2 中的 P-t 乘积相当恒定）。

您是否有~4A@24V 开关的替代方案、可在导通期间承受更高的容性负载？遗憾的是、大多数电子保险丝在本主题上的数据表很少。通常、如果可能、我们希望使用集成式 FET。

谢谢、

Tobias

RE: [参考译文] TPS25982：电子保险丝热保护

admin — Fri, 22 May 2026 18:09:32 GMT

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您好、Tobias、

几个后续问题：

1) 连续工作电压、负载电流和容性负载是多少?

请回答以上问题、以便我可以推荐产品。

我们有设计计算器、用于根据您的产品应用规格评估 IC 每个引脚的外部元件值。它可以在产品网站上找到。SLVC779 计算工具| TI.com --这是用于 TPs25982。

谢谢、

Hemanth.

RE: [参考译文] LM317A：LM317AEMPX/NOPB 我们收到的 DC26+变色

admin — Fri, 22 May 2026 18:05:35 GMT

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嗨、Cindy、

您是否碰巧拥有这些设备的批次编号？是在多个批次上发生的吗？有缺陷的数量是多少？

我们的封测站点可以帮助检查这些项目、并查看这些批次是否存在任何异常。

谢谢、

[参考译文] LM317A：LM317AEMPX/NOPB 我们收到的 DC26+变色

admin — Mon, 11 May 2026 11:15:19 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1644475/lm317a-lm317aempx-nopb-dc26-we-received-are-discoloration

部件号： LM317A

我们收到的 LM317AEMPX/NOPB DC26+变色、请查看 PIC。是手工艺问题造成的吗？它会影响原来的功能吗？
谢谢！

[参考译文] BQ25690：TI 解决方案

admin — Tue, 21 Apr 2026 02:52:51 GMT

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器件型号： BQ25690
Thread 中讨论的其他器件： TCA9548A、 BQ25750 、BQ25692、BQ25758 、BQ25858-Q1、 BQ25758A

你（们）好

我们目前正在开发一个充电盒项目、

需要 6 个充电 IC、

支持 1 节~4 节串联充电、

充电电流 1A~5A、

最大输入电压 32V（最低 10V）

降压/升压架构、

和 I2C 配置。

我当前选择了 BQ25690 + TCA9548A、但欢迎讨论任何其他建议。

谢谢

RE: [参考译文] BQ25690：TI 解决方案

admin — Fri, 22 May 2026 17:55:30 GMT

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您好 Gareth、

我认为 BQ25758A 适用于您在这里的应用。规格如下：

最大输入电压= 60V

VOUT = 3.3V 至 60V

IOUT = 400mA 至 20,000mA

BQ25758A 是降压/升压直流/直流转换器、可通过 I2C 进行配置。 BQ25758A 具有恒压和恒流控制环路、允许 BQ25758A 有效地为电池充电。

BQ25758A 是否适用于您的应用？

此致、
Ethan Galloway

[参考译文] TPS7A7002：使用 TPS7A7002DDAR 设计

admin — Fri, 22 May 2026 05:37:41 GMT

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器件型号： TPS7A7002

您好团队：
我们将 LDO TPS7A7002DDAR 用于我们的一款产品。
电路 1
输入电压 — 5.5V
输出电压 5V
输出电流 — 2A
您能否确认器件在这种情况下具有适当的压降电压？

电路 2.
输入电压 — 5.5V
输出电压 3.3V
输出电流 — 2A

您能回顾一下这些电路吗？

正在查找您的回复

RE: [参考译文] TPS7A7002：使用 TPS7A7002DDAR 设计

admin — Fri, 22 May 2026 17:20:12 GMT

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嗨、

是的、器件在 VIN 和 VOUT 之间有足够的余量来保持适当的调节。

我已经查看了原理图、所有内容都符合规格。

谢谢、

Vahnroy

RE: [参考译文] LMG1025-Q1：分立式 GaN 驱动器

admin — Fri, 22 May 2026 16:51:09 GMT

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尊敬的 Francis：

我之前没见过这种拓扑、但看起来 FET 处于半桥配置、因此我推荐 LMG1205

谢谢、

Annabelle

[参考译文] LMG1025-Q1：分立式 GaN 驱动器

admin — Thu, 21 May 2026 06:20:57 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1648016/lmg1025-q1-discrete-gan-driver

器件型号： LMG1025-Q1
主题中讨论的其他器件： LMG1205

尊敬的团队：

目前、客户正在为数据中心开发 IBC、并在 LLC SR 端使用了分立式 GaN、需要 GaN 驱动器、LMG1025 和 LMG1205、哪一款更适合？谢谢。

BRS、

Francis

[参考译文] BQ79616：CBn 电容器和使用外部电源的未使用 CB0

admin — Mon, 27 Apr 2026 14:37:25 GMT

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器件型号： BQ79616

您好的团队、

客户有以下问题。

1. 如图 9-2 的 (a) 所示。在数据表中未使用的 VC 和 CB 通道、客户正在考虑将未使用的 VC 和 CB 引脚连接到 BAT、同时将其连接到图 9-4 所示。 BAT 的单独电源、客户还正在考虑为 BAT 引脚提供除电芯电压之外的外部电源。在这种情况下、是 CBn 和 CBn+1 之间的电容器、如图 9-2 的 (a) 所示。需要未使用的 VC 和 CB 通道？此外、这个电容器首先有什么作用？

2、客户正在考虑通过连接外部 N 沟道 MOSFET 来实现具有较大电流的电芯均衡。客户知道在这种情况下所有 CB 引脚都将不使用、并想知道应如何处理 CB0 引脚。虽然 CB1 至 CB16 可以连接到 BAT 引脚、但将 CB0 连接到 BAT 会超过绝对最大额定值。

此致、

Hayashi

RE: [参考译文] BQ79616：CBn 电容器和使用外部电源的未使用 CB0

admin — Fri, 22 May 2026 16:47:17 GMT

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你好 Hideki、

在通过电子邮件跟进此主题时、请关闭该主题。

此致、

Rohin Nair

[参考译文] LP87562-Q1：勘误表要求

admin — Thu, 21 May 2026 05:51:26 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1648006/lp87562-q1-errata-sheets-requirement

器件型号： LP87562-Q1

尊敬的团队：

您能否帮助提供以下器件的勘误表（如果有）？

O917A154TRGZRQ1

LP87562KRNFRQ1

LP877021RHBRQ1

LP87565SRNFRQ1

谢谢！
托马斯·里根

RE: [参考译文] LP87562-Q1：勘误表要求

admin — Fri, 22 May 2026 16:43:38 GMT

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嗨、Thomas、

其中每一个器件的数据表都应该能够提供您可能在设计要求、布局指南和示例部分中查找的信息。如果您需要任何进一步的帮助、请告诉我！

https://www.ti.com/product/LP87562-Q1

https://www.ti.com/product/TPS65917-Q1/part-details/O917A154TRGZRQ1?keyMatch=O917A154TRGZRQ1&tisearch=universal_search&usecase=OPN

https://www.ti.com/product/LP87702-Q1?keyMatch=LP877021RHBRQ1&tisearch=universal_search&usecase=OPN-ALT

https://www.ti.com/product/LP87565-Q1/part-details/LP875650RNFRQ1

此致、

Nick

RE: [参考译文] TPS65910：引导配置下的 TPS65910 电源问题

admin — Fri, 22 May 2026 16:08:48 GMT

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有没有方法可以将 pdf 文件上传到该主题或将其修改为原始帖子？该网站是从我的一侧限制.

[参考译文] TPS65910：引导配置下的 TPS65910 电源问题

admin — Tue, 12 May 2026 10:11:26 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1644939/tps65910-tps65910-power-issue-with-boot-configurations

器件型号： TPS65910

您好 TI。

我将 AM335x 配置为 TPS65910 并使用不同的引导模式、发现 VddCore 无法提供低于 2.5V 的电压。我提供了原理图以供参考。请仔细阅读并提出任何解决方案。根据我所知、Boot0=0 和 boot1=1 是 AM335x 的正确引导配置。

[参考译文] TPS1214-Q1：反向阻断

admin — Fri, 22 May 2026 07:49:19 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1648464/tps1214-q1-reverse-blocking

器件型号： TPS1214-Q1

尊敬的团队：

我参考的是 TPS1214 的数据表、我使用的是 TPS12140-Q1 器件。数据表中提到的以下语句也有助于实现反向电流阻断。当施加反向输入时、IC 是否通过使 VGS 关断来关断连接的外部 MOSFET。

“TPS12140-Q1 和 TPS12142-Q1 具有低至–65V 的集成反极性保护功能、无需任何外部元件、即可在输入反极性故障期间保护 IC “

谢谢、

Namita

RE: [参考译文] TPS1214-Q1：反向阻断

admin — Fri, 22 May 2026 15:50:12 GMT

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嗨、Namita、

否、器件绝对最小值为–65V。该陈述表明、如果 ABS min 高于此值、您的设备将是安全的。我们具有反极性输入保护、可在检测到反极性输入保护时将栅极拉低。

不过、这不利于实现反向电流阻断。需要 B2B FET 来保证这一点。

谢谢、

Sarah

RE: [参考译文] TPS544B28EVM：TPS544B28EVM：SW 和 Vout 上出现超高频振铃

admin — Fri, 22 May 2026 15:42:11 GMT

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您好 Uwe：

1) 高频振铃是耦合到你 PROB,请使用 SMA 连接器过滤

2) 对于最后一个图中的直流振荡、我将其视为您测量中的接地问题

请使用下面的 SMA

谢谢

Tahar

[参考译文] TPS544B28EVM：TPS544B28EVM：SW 和 Vout 上出现超高频振铃

admin — Wed, 06 May 2026 12:20:58 GMT

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器件型号： TPS544B28EVM

TPS544B28EVM 在 Vout 上表现出高频 (500MHz) 振铃。振幅约为 30mV 至 50mV（取决于负载）。以下波形捕获显示了 Vout 上的振铃以及 SW 节点的振铃。

评估板跳线设置：800kHz 开关频率、3.3Vout。 IOUT 为 0A 至 20A。

@ 0A 输出：SW 下降沿：Vout 振铃 588MHz、7mV p-p SW 节点上几乎没有可见振铃：

@ 12A 输出：SW 下降沿：Vout 振铃 526MHz、38mV p-p SW 节点上的 833MHz 振铃：

@ 20A 输出：SW 下降沿：Vout 振铃 526MHz、52mV p-p SW 节点上的 833MHz 振铃：

相比之下、上升沿的 SW 节点振铃与 SW 下降沿完全不同。 @ 20A 输出：SW 上升沿：SW 节点上的 370MHz 振铃（下降：833MHz）。 (Vout 振铃从 526 略微变为 476MHz、24mV p-p)

我在 Vin、SW 和 Vout 上添加了 RC 缓冲器。 C 的值范围为 3pF 至 560pF (0402、COG)、R 为 3 Ω 至 10 Ω(0402)。连接非常短、布线长度小于 0.5mm、以使寄生电感小于 0.5nH。结果：所有缓冲器都不会减少 Vout 振铃或 SW 节点振铃。相反、一些缓冲器不会抑制 Vout 振铃幅度、在大多数情况下、Vout 振铃幅度增加 10%、有时甚至增加多达 50%。这同样适用于 SW 节点振铃振幅。

对 Vout 振铃振幅和振铃频率的主要影响是使用电源扼流圈。实验中,我用 XGL6060-102 (1nH ) 取代了 XAL7070-551(510nH )。原始扼流圈寄生线圈并联电容为~6pF、相比之下、XGL6060-102 的电容为 12pF（更高的电感=更多绕组=更高的寄生 Cp）。使用 XGL6060-102 时、在 20A 负载下、Vout 振铃振幅从 50mV 增加到 80mV。 XGL6060-102 的 Vout 振铃频率显著降低。

顺便说一下、Vout 基频纹波（“800kHz 纹波“）非常低 (20A 和 3.3Vout 时为~ 4mV p-p)、非常适合我们的需求：

我们对射频噪声关键型应用的 Vout UHF 振铃幅度感到担忧。我们希望将振幅至少降低 20 倍。然后、我们还可以更灵活地选择线圈、并可以使用 SRF 较低的中等线圈。

对于将振铃幅度从原始值降低到 5%、您有哪些建议？由于我还不记得缓冲器、我还可以尝试哪些其他选项？请注意、这些建议不一定与 EVM 相关。我们在这里讨论自己的设计。当然、我们也可以在此处修改布局、在输出端添加其他滤波器、诸如此类。

最后、这是在原始 EVM 中观察到的一个有趣现象。存在一些异常抖动。它可以在 SW 节点和 Vout 节点上看到。我不认为这是一个主要问题、因为抖动引起的 p-p 纹波仍约为 8mV。是否有办法进一步改进这一点？

此致、 Uwe

[参考译文] BQ41Z90：BQ41Z90–在高电流状态下触发 AOLD 保护/ AFE OCD1 寄存器中的 SC_OCD1_SEL 位

admin — Fri, 22 May 2026 09:00:04 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1648495/bq41z90-bq41z90-aold-protection-triggering-at-high-current-sc_ocd1_sel-bits-in-afe-ocd1-register

器件型号： BQ41Z90
主题： BQSTUDIO 中讨论的其他器件

您好 TI 支持团队：

我使用 BQ41Z90 EVM 并执行高电流放电测试。我的目标是使用带有并联 MOSFET 和 1 毫欧检测电阻的修改设计来实现 100A 放电电流能力。

在测试期间、我会遇到触发 AOLD（硬件放电过载）保护的情况、无法维持所需的电流电平。我已将 AFE OCD1 寄存器（数据存储器-设置 — AFE - OCD1、地址 0x4253）配置为 0x3F、但保护仍以意外的低电流电平跳闸。

当我在 BQStudio 数据存储器中打开 OCD1 寄存器时、我看到标记为 SC_OCD1_SEL0 到 SC_OCD1_SEL6 的 7 位加上一个保留位（位 7）。我在技术参考手册或数据表中找不到关于这些位的清晰说明。我不能确定这些位是否完全控制 AOLD 阈值、延迟或其他内容。

此外、由于采用有符号 16 位整数类型、基于软件的 OCD1 阈值 (Protections - OCD1 - Threshold) 的最大值为–32768mA。使用我的电流检测电阻值时、这将我限制在大约 32A、这对于我的 100A 目标来说已经足够了。

我的具体问题如下：

AFE OCD1 寄存器中地址 0x4253 的 SC_OCD1_SEL0 到 SC_OCD1_SEL6 位的确切位映射是什么？哪些位控制阈值、哪些位控制延迟？
如何配置 AOLD 保护阈值、以便在使用 1 毫欧检测电阻器时允许高达 100A 的电流？
是否有建议的方法将有效 OCD 电流阈值扩展到超过有符号 16 位数据类型施加的 32A 限制？

非常希望提供任何指导或文件参考。

谢谢你。

RE: [参考译文] BQ41Z90：BQ41Z90–在高电流状态下触发 AOLD 保护/ AFE OCD1 寄存器中的 SC_OCD1_SEL 位

admin — Fri, 22 May 2026 15:35:36 GMT

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您好：

此问题已分配给团队内部、我们将在可能的情况下审核并与其他应用工程师跟进。在此期间、请附加与项目关联的任何.log/.gg 文件。

*由于 e2e 队列中存在大量问题、回复可能会延迟

谢谢您、
Alan

[参考译文] BQ40Z50-R2：有关 BQ40Z50-R2 的数据问题

admin — Fri, 22 May 2026 06:37:48 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1648429/bq40z50-r2-regarding-the-data-issue-of-bq40z50-r2

器件型号： BQ40Z50-R2

您好、我们公司已从贵公司的在线商店购买了物料 BQ40Z50RSMR-R2。有关详细信息、请参阅随附的图像。图像左侧红色框内的值是正常的。右侧红色框中的值异常。在编程过程中、我们公司在右侧红色框中遇到了异常值。我们想了解导致此问题的原因、以及是否有任何可用的解决方案？