电源管理（参考译文帖）(Read Only) - 最近的话题

[参考译文] TPS54360-Q1：TPS54360-Q1 开关值不符合 RT 电阻器值

admin — Fri, 30 Jan 2026 14:36:26 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1612343/tps54360-q1-tps54360-q1-switching-value-is-not-coming-as-per-rt-resistor-value

器件型号： TPS54360-Q1

您好、

我在电路中使用 TPS54360-Q1 直流/直流转换器。我在 RT 引脚和 GND 之间连接了 274K Ω 电阻、该电阻根据数据表开关频率公式将开关频率设置为 354KHz。

Fsw = 92417 / RT (Kohm)^0.991。

我的电路板中测量的开关频率为 384KHz、这不符合上述预期值。

为什么 fsw 与计算值不同？

恒定的并且 FSW 公式中给出的功率是否正确？

您能帮助我解决这个问题吗？

此致、

Srinivasu

RE: [参考译文] TPS54360-Q1：TPS54360-Q1 开关值不符合 RT 电阻器值

admin — Mon, 09 Feb 2026 17:43:55 GMT

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你好 Srinivasu

我理解您的担忧。不过、这是大多数直流/直流转换器的规格定义方式、数据表清楚地说明了 RT = 200kΩ 时的变化。

500kHz 下的±50kHz 规格考虑器件间的差异、温度影响、测量容差以及额外的保护带。测量的频率在此范围内实际上与预期的行为一致。

您的系统可以接受多大的频率容差？我可以在内部查看我们是否可以提供额外的指导。最好的方法是在不同温度下对足够数量的样本在电路板上表征频率、以了解电路板上的实际分布。

让我们通过电子邮件继续讨论、以便进行更详细的分析。我将通过 E2E 消息服务向您发送我的联系信息。

我即将结束该主题

此致、

Srinivasu

[参考译文] TPS7B81：接地引脚电流与输出电流间的关系曲线

admin — Mon, 09 Feb 2026 07:09:29 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1615184/tps7b81-ground-pin-current-vs-output-current-curve

器件型号： TPS7B81

尊敬的 TI 支持团队：

我目前正在为我们的设计评估 TPS7B81。我注意到、数据表未提供接地引脚电流 (IGND) 与输出电流 (IOUT) 之间的关系。

为了在我们的应用中进行准确的功率预算和热分析、拥有这些信息会非常有用。您能否提供 IGND 与 IOUT 曲线或 TPS7B81 的任何相关数据？

示例：

非常感谢您的支持。

此致、

RE: [参考译文] TPS7B81：接地引脚电流与输出电流间的关系曲线

admin — Mon, 09 Feb 2026 17:03:37 GMT

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您好、Tom、

请在下图中找到请求的数据：

此致、

Daniel

[参考译文] LM5169：我想检查 LM5169FDDAR 对于我的应用的可行性

admin — Fri, 06 Feb 2026 14:42:04 GMT

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器件型号： LM5169
Thread 中讨论的其他器件： LM5160

VIN= 15V

VOUT1=15V、VOUT2=–15V 同时

电流要求=3A 或更高

LM5169FDDAR 是否更适合我的应用？

RE: [参考译文] LM5169：我想检查 LM5169FDDAR 对于我的应用的可行性

admin — Mon, 09 Feb 2026 16:49:37 GMT

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尊敬的 Aswin：

LM5160 将是理想之选。这是一种 Fly-Buck、最大 Iout 为 2A

RE: [参考译文] TPS6521905：TPS65219 数字输入最大电压

admin — Mon, 09 Feb 2026 16:17:16 GMT

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您好、Michael：

感谢您在 E2E 上联系我们。

您对数据表的解读是正确的、在任何情况下、数字输入端的电压都不能超过 VSYS 的电压电平。

这不符合在 VSYS 上电 (0V) 之前向数字输入引脚施加电压 (3.3V) 的建议。

虽然这在技术上可能起作用（在 EVM 上进行了测试）、但不建议将其用于实际应用。
不应违反此规范。

VIO 应严格在 VSYS 之后启动/与 VSYS 一起启动、因此在任何时候都不会超过 VSYS 值。

希望这有助于澄清问题。

此致、
Sarah

[参考译文] TPS6521905：TPS65219 数字输入最大电压

admin — Sun, 08 Feb 2026 14:24:49 GMT

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器件型号： TPS6521905
主题： TPS65219 中讨论的其他器件

嗨、

我有一个与 TPS65219 的数字输入电压限制相关的问题。

我注意到绝对最大额定值与数据表中的建议运行条件之间存在差异：

绝对 最大额定值： 该表表示数字输入电压与 VSYS 无关（例如，最大 6V）。

推荐 运行条件： 有一个特定的注释（参考 POS 3.1.28）说明输入电压 “不得超过 VSYS。“

我的问题： 当 VSYS 当前为 0V 时（在 PMIC 上电之前）、是否允许向数字输入施加电压（例如 3.3V）？

我会询问、因为“不得超过 VSYS“注释表明、如果 VSYS 为 0V、数字输入也必须为 0V。但是、我在 EVM 上观察到、在 VSYS 上升之前向 IO 施加外部电压似乎可以正常工作而不会损坏。

我想确认此启动序列（在 VSYS 之前启动的 VIO）是否）是否安全、无法实现可靠的长期运行、或者是否违反了器件的可靠性限制。

提前感谢、

Michael

[参考译文] BQ25672：器件选择作为替代方案。

admin — Thu, 05 Feb 2026 02:18:24 GMT

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器件型号： BQ25672
主题中讨论的其他器件： BQ25790、、 BQ25798

查找有关可为 13.2V @100mA 容量充电的 BQ 充电芯片的建议

锂电池组。

该电池组具有已包含保护和平衡功能的 PCM。挑战在于输入电压固定为 5V USB 500mA。 0402 和 0201 类型级的布板空间极其有限。

理想情况下、它具有稳定的 VSYS 电压输出。但电池路径直接、如 790

一次持续 15ms 的最大脉冲电流为 3A。

集成式电流/电压监控必不可少、由于容量受限、充电器需要终止电流小于 10mA。

I2C 可用于在器件启动时设置充电器。

我们尝试了 BQ25790 芯片、但其运行在不可预测的能力和行为的下限。

BQ25672 是否是不错的替代品？

RE: [参考译文] BQ25672：器件选择作为替代方案。

admin — Mon, 09 Feb 2026 16:16:50 GMT

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尊敬的 Johann：

很遗憾、不会

此致、

Jeff

[参考译文] TPS92520-Q1：以菊花链形式连接 TPS92520-Q1

admin — Mon, 26 Jan 2026 12:23:52 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1610391/tps92520-q1-daisy-chaining-tps92520-q1

器件型号： TPS92520-Q1

您好专家、

我尝试在菊花链配置中的 TPS92520-EVM133 上使用两个 TPS92520-Q1。在单次使用情况下、从电流设置到 PWM 设置和通道激活的所有设置都可以完全正常工作。在菊花链配置中、只有靠近 Raspberry Pi (nr.2) 的降压转换器可以正常工作、但 PWM 功能非常有限（并非每个亮度都可以设置）。

是否正确、除 PWM 之外的每个 SPI 消息都应在一个帧中、以便首先将这些位推送到正确的转换器、然后进行采样？

最大值

nr.2 的 ch1_PWMH

nr.2 的 CH1_PWML

nr.1 的 ch1_PWMH

nr.1 的 CH1_PWML

nr.2 的 CH2_PWMH

nr.2 的 CH2_PWML

nr.1 的 CH2_PWMH

nr.1 的 CH2_PWML

我在这里使用的方式是否正确？非常感谢任何帮助。

RE: [参考译文] TPS92520-Q1：以菊花链形式连接 TPS92520-Q1

admin — Mon, 09 Feb 2026 16:11:03 GMT

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我会使用类似 1k Ω 到 2k Ω 的电阻。它取决于线路上的电容、但这是一个很好的起点。您可以查看 MISO 上升时间的示波器快照、以确保其满足时序要求。

上拉电阻位置如指南图所示：

这些是 MISO-0 的移位寄存器、用于驱动 MOSI、该操作通常通过 MCU 完成、并且推挽、而不是开漏。因此、需要使用上拉电阻器。

-fhoude

[参考译文] BQ25820：使用 GaN MOSFET

admin — Sun, 08 Feb 2026 09:00:03 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1615034/bq25820-using-gan-mosfets

器件型号： BQ25820
主题中讨论的其他器件： BQ25750、 BQ25770G

您好：

GaN MOS 是否可用于 BQ25820 和 BQ25750（替代硅 MOS）？

Shachar

RE: [参考译文] BQ25820：使用 GaN MOSFET

admin — Mon, 09 Feb 2026 16:07:43 GMT

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您好 Shachar、

我们拥有的唯一支持 GaN FET 的电池充电器是 BQ25770G。

此致、

Chris

RE: [参考译文] BQ25820：使用 GaN MOSFET

admin — Mon, 09 Feb 2026 15:41:43 GMT

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您好：

感谢您的回答、

您是否有适用于 GaN 的直流/直流锂离子电池充电器？

Shachar

RE: [参考译文] AM2434：0.85V、由 LP87334DRHDR 实现

admin — Mon, 09 Feb 2026 15:26:15 GMT

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您好、Sarah：

感谢您的提问！

我发现我的 PCB 上有~20mV 的压降、主要是在 F801 0R0 电阻器上、问题就在我这边、而不是在 PMIC 上。

此致、Kalman

[参考译文] AM2434：0.85V、由 LP87334DRHDR 实现

admin — Thu, 05 Feb 2026 10:57:41 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1614267/am2434-0-85-v-by-lp87334drhdr

器件型号： AM2434

尊敬的 TI：

我正在使用 LP87334DRHDR 为定制板上的 AM2434 生成所有电源电压系数 (0.85、2x1.8、3.3)。

虽然 OTP 中的寄存器设置当然正确、但我在 8 个电路板上测得的值为 811..837mV：

0000： ü 4D 07 2C 07 2B 2F FC 07 0A 22 20 21 21‚M、+/μ m……“ ！！
0010：0f 03 77 67 01 7F 00 00 00 00 00 00 00 80 CC ..工作组.... €ÌÌ μ s
0020: ÝÝ·ô 01 DD B7 F4 0A 70 01 00 00 00 FF FF FF FF FF‘.

产生的内核电压低于预期的 850mV 、这会在高环境温度 (85°C) 下导致问题、当电压降至 800mV 或以下（超出 Sitara 的规格）且复位芯片停止 SoC。

我应该在电源电路中做些什么更好？

L801：XFL4015-471ME 470nF +–20%（最大值 8.36m Ω）、89MHz、Imax= 9.1A、屏蔽

所有电容器均为 X7R

我已经在 2D 中检查了 VBUCK0_OUT 的设置... 一个电路板上的 3F 范围、电压低于预期电压~40mV。

此致、Kalman

[参考译文] TPS26750：TPS26750 可配置性

admin — Thu, 05 Feb 2026 18:20:40 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1614455/tps26750-tps26750-configurability

器件型号： TPS26750

您好：

我对 TPS26750 似乎有点困难、需要一些关于其可配置性的建议。我的目标是将其配置为 DRP 状态机、以便它仅从数据角度交换角色。换句话说、我希望它能够从数据角色的角度知道是主机或器件、同时从电源角色的角度无限期地保持受电方的身份。这是可能的吗？如果是、.json 配置必须是什么样子才能获得此信息？谢谢你。

RE: [参考译文] TPS26750：TPS26750 可配置性

admin — Mon, 09 Feb 2026 15:19:56 GMT

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您好 Keyrollos、

Aya 本周不在办公室、因此预计响应会延迟。感谢您的耐心和理解。

Bests,

Katilynn

RE: [参考译文] BQ24600：电池充电电流调节

admin — Mon, 09 Feb 2026 15:05:58 GMT

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您好 Hari K、

您是正确的、BQ24600 不像该系列中的某些较新器件那样支持动态电源管理 (DPM)。我在第一个评论中犯了个错误、我想到了 BQ24610、它具有此功能。

因此、当适配器过载或输入电压下降时、该器件不会通过减小充电电流来主动调节输入功率。

相反、行为如下：
•充电电流通过 ISET/RSENSE 配置进行设置、并在正常运行期间保持固定。
•如果输入源无法提供足够的电流或输入电压下降、IC 不会自动降低充电电流以维持输入电压。
•在这些情况下、输入可能会崩溃、器件可能会：
•超出稳压范围
•达到 UVLO 或进入故障/停止开关、具体取决于 VIN 下降的程度。

我建议使用 BQ2461x 系列中具有此功能的其他器件。

此致、

基督教。

[参考译文] BQ24600：电池充电电流调节

admin — Fri, 06 Feb 2026 04:28:13 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1614576/bq24600-battery-charge-current-adjustment

器件型号： bq24600
主题： BQ24610 中讨论的其他器件

我正在使用的器件 bq24600 为双通道充电器设计中的锂离子电池充电。我想了解 IC 在输入电压降低时的行为、以及它是否会自动降低充电电流。

系统详细信息如下：

充电器 IC： bq24600
通道数量： 2.
每通道电池电压： 13.05 伏
编程的充电电流： 每通道 2A
输入电源： 直流适配器、额定电压 24V、最大电流 2.5A
允许的输入电压范围（客户 RFQ）： 19V 至 28V
估计的充电器效率：~90%

满载时、总电池功率为~52W、估算的输入功率（效率为 90%估算）要求为~58W。在较低的输入电压（例如 19V）下、适配器（壁式安装交流/直流适配器）无法提供所需的输入电流。因此、可用的输入功率不足以在两个通道上维持 2A 充电。

我的问题：-

当输入电压下降或达到输入电流限值时、BQ24600 是否会自动减小充电电流？
此行为是否由 IC 的输入电流调节/DPM 功能控制？
当在 19V 下达到适配器电流限值时、IC 是否会平稳地降低电池充电电流、或者是否需要外部电流限制？
是否有任何建议的设置或设计注意事项可确保在整个 19V 至 28V 输入范围内稳定运行？

澄清 IC 在这种情况下的行为会非常有帮助。

此致、

Hari K

[参考译文] BQ25606：请查看 BQ25606 的原理图

admin — Mon, 09 Feb 2026 10:23:32 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1615318/bq25606-please-review-the-schematic-of-bq25606

部件号： BQ25606

尊敬的 TI 专家：

我的客户使用 BQ25606 制作原理图。您能查看这个原理图吗？

此致、

追逐

RE: [参考译文] BQ25606：请查看 BQ25606 的原理图

admin — Mon, 09 Feb 2026 14:50:28 GMT

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您好 Chase、

我的原理图审阅如下：

1.在 VBUS 上只需要一个 1uF 的电容器、在 PMID 上只需要 10uF 的电容器。可以减少电路板的 BOM。

2. PG / LED 需要一个限流电阻器。

3.请确保电感器的额定纹波最大。

此致、

Mike Emanuel

RE: [参考译文] LM5106：H 桥栅极驱动器、PWM 50kHz、100%占空比

admin — Mon, 09 Feb 2026 14:39:11 GMT

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尊敬的 Simon：

我们提供了一个常见问题解答、其中提供了有关这方面的详细信息。由于非隔离式驱动器不会在内部产生偏置、因此需要从外部偏置驱动器。通常、这是通过一个电容器完成的、当低侧 FET 导通时、该电容器充电。这也可以通过外部浮动电源来实现。如果 H 桥需要两个输出、并且需要 100%占空比、那么这会很有用。然而、只要由外部供电、LM5106 就能够实现 100%占空比。

此致、

Amy

[参考译文] LM5106：H 桥栅极驱动器、PWM 50kHz、100%占空比

admin — Mon, 09 Feb 2026 07:54:40 GMT

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1615213/lm5106-h-bridge-gate-driver-pwm-50khz-100-duty-cycle

器件型号： LM5106

大家好：

我正在寻找一个 H 桥驱动器（全桥或半桥）、用于驱动负载电压为 48V 且负载电流高达 7A 的电感负载

电桥驱动器将由微控制器使用 50kHz PWM 信号进行控制。驱动器必须支持以 100%占空比运行。

此外、驱动器的电源电压应与负载电压无关。

我找到了 LM5106、但我认为它不支持 100%占空比工作。
您是否会推荐任何其他满足这些要求的驱动器 IC？

谢谢！