主题中讨论的其他器件: TMDSEVM6657、UCD9222、UCD7242
团队、
代表我的客户询问。
客户会发现 TMS320C6657在设计中的功耗发生意外变化。 已在客户电路板和 TI 参考 EVM 上进行了测量、并观察到类似的变化。 客户想了解为什么器件之间的电流消耗存在如此大的差异、以及这是正常的分布还是指示某些错误的情况。
客户意见:
我们的 DSP 的平均电流消耗随电路板的不同而有很大不同。
我认为这可能是由以下原因之一导致的:
- 从 TI 交付的具有不同功耗特性的器件
- 在组装或搬运过程中引入的某种损坏
- 设计错误–如引脚悬空、上电时时序错误等。
您是否会在最终生产测试中测试功耗?
您能否分享其中一些数据?
我想查看平均值和各单元之间的偏差(软件未运行或处于复位状态?) 最低。
我找到了两种评估板–TMDSEVM6657–并测量了内核的功耗。
这表明、功耗在这些板之间有很大的差异。 一个板上比另一个板上多50%!
在我们的电路板上仍然可能是个问题、但这个测量点更侧重于芯片本身。
我还没有在负温度下测试评估板、看看它们是否在温度下降时功耗也在增加
我的案例可能与此处所述的相同:
和此处(同一作者)
在客户电路板上进行测试:
以下温度是气候室中的环境温度。
使用 Fusion Digital Power Designer 从 UCD9222读取测量值(我已验证 UCD7242和 UCD9222设置的输出)
设备 ID |
CVDD |
CVDD1、 |
|
|
1伏1伏 |
1V0 |
温度 |
"差" |
[A] |
[A] |
|
51046103-0000014 -双核 |
1、5 |
0、78 |
25°C |
|
1、09 |
1、67 |
-10°C |
|
1伏1伏 |
1V0 |
温度 |
"差" |
[A] |
[A] |
|
51046102-0016097 -双核 |
1、31 |
0、84 |
25°C |
|
1、09 |
1、03 |
-10°C |
|
1伏1伏 |
1V0 |
温度 |
"好" |
[A] |
[A] |
|
51046102-0014609 -双核 |
1、47 |
0、31 |
25°C |
|
1、38 |
0、27 |
-10°C |
|
1伏1伏 |
1V0 |
温度 |
"好" |
[A] |
[A] |
|
51046102-0014612 -双核 |
1、39 |
0、2 |
25°C |
NB:未加载 SW 的 DSP |
1、09 |
0、2 |
-10°C |
BU 支持可提供的最新问题以及客户回复:
然后:
在 CT 处增加功耗/漏电感没有意义。 参考 PET:
https://www.ti.com/lit/zip/sprm600
… 这清楚地显示了高温>室温>低温(CT)的*Expected *行为
客户回复:
我明白您为什么不认为这有道理–我知道 SPRM600以及正常"电子产品是如何在 CT 处处理泄漏电流的
这也是我联系您的原因–有些事情是完全错误的。
然后:
-1-
您曾提到在室温下使用的两个 EVM、其中一个 EVM 上的功率比另一个 EVM 更高。 裸片到裸片的差异是正常的。 您能否在低温下测量这些参数、并查看是否可以重现
观察结果?
客户回复:
我知道一定有一些裸片变化、但100%以上的变化并不只是每个裸片之间的"某些变化"。
您可以看到测量值发送给您24。 2023年10月(对于我们的董事会)
然后:
-2-
您能不能要求客户使用 IR /热像仪来查看他们是否能看到电路板上的热点? 可能是有坏元件(CAP、???) 导致观察结果的原因是什么?
客户回复:
我已经在电路板上使用了热像仪、但由于组件故障、没有热点。
然后:
-3-
客户是否可以拆装/退回一个或两个疑似故障的 SoC? 和一个用于比较的"好"SoC? (请提前收集 RT/CT 电流测量结果)
https://www.ti.com/support-quality/additional-information/customer-returns.html
客户回复:
是的、我可以将几款 DSP 退还给您。
我应该在哪种状态下测量电流消耗? 在复位模式下、在未加载代码的情况下、是在复位模式下还是在加载第一级引导加载程序的情况下?
客户也将参与此主题、以实现直接通信。
谢谢。此致、
/沃尔夫冈