[参考译文] AM69A：有关 AM69A EVM PROC154E3_RP 电路中的电容器使用的问题

电容器具有非常低的封装电感、其性能优于反向几何形状电容器等。  极低的封装电感使得它们非常适合于电源去耦电容器。  建议使用这些电阻器、但不是必需的。  您可以替换为标准2端子电容器、但建议执行粉末仿真、以确保通过电力输送系统实现 PDN 目标。  

尊敬的 Robert：

我目前正在审查 AM69A EVM (PROC154E3_RP)的供电网络(PDN)设计、注意到电路中使用了多个低 ESL 电容器(例如 NFM15HC105D0G)。 我想了解这一选择背后的具体设计注意事项。

您能否提供定义每个电源轨所需电容器数量、放置和类型的相关设计规格或指南？ 具体而言：

是否有任何 TI 文档或参考设计指定了每个电源轨的建议电容器类型、值和计数？
TI 是否提供 PDN 仿真模型(例如 SPICE、S 参数)来验证替换不同电容器时的功率完整性？
AM69A 中使用的去耦电容器是否有任何最低 ESL/ESR 要求？
如果我们要使用标准 MLCC 替换低 ESL 电容器、建议的验证步骤是什么以确保正确的电源完整性？
如果有任何应用手册、参考设计或仿真工具可以帮助进行此分析、我将不胜感激。

感谢您的支持。

此致、

TI 能否提供定义每个电源轨的电容器数量、放置和类型的设计规格/指南？  [TI -我们在 SK-AM69 EVM 示例中已经有了它、您可以将其用作参考。  您还可以参阅 TDA4-VH EVM 示例、因为它具有类似的封装/电源要求。]

是否有任何文档为每个电源轨指定电容器类型、值和计数？ [TI -我再次建议您参考我们现有的硬件设计。  这些设计已针对不同工艺/温度进行了测试、并确认符合噪声规格。]

TI 是否提供 PDN 仿真模型来验证电源完整性？  [TI -我们不提供模型、但为较高电流/低电压电源轨(VDD_CORE、VDD_CPU、VDD_MPU 等)提供了目标阻抗参数。  我们为每个轨定义了3个不同频率范围的目标。  此外-根据您针对具体用例的功率估算、您可以生成一个负载阶跃、以确保您的电力输送系统将电压/噪声保持在规格范围内。]

TI 对去耦电容器是否有任何最低 ESL/ESR 要求？ [TI -不、我们使用3端电容器、因为它们的封装电感更低(性能更好)、但如果您可以通过标准2端电容器满足电源完整性规格、那么就没问题了。]

TI 是否有任何有助于电力输送分析的应用手册？ [TI -链接提供电源完整性分析信息。  PPT 还包含其他信息、如 LPDDR、高速 IO 等   为了更好地参考专门的应用手册。