工具与软件:
您好!
我一直在查看有关 LVDS 驱动强度的 TI AM62x 文档。 目前、我们正在研究设计的辐射发射、并已将 LVDS 确定为问题。 如果我们可以使用不同的 LVDS 驱动强度进行实验、那会很好。 到目前为止,这是我所知道的:
1) 1)技术参考手册(spruiv7b.pdf、起始页4490)
-描述了控制 LVDS DAT0、DAT1、DAT2、DAT3和 CLK 的寄存器, IO 功能
-位 TXDRV[19..16]似乎控制驱动强度,但我找不到不同驱动强度的位定义
-位 RTERM_EN[0]似乎控制是否 LVDS 引脚是差分端接100Ohm
2) 2)数据表(am625.pdf、第200页)
-描述快速或慢速模式的 OLDI 切换特性
-快速模式使用 TXDRV[19..16]=1000b (上升/下降时间0.25ns)和 RTERM_EN=1b (引脚终端)或 RTERM_EN=0b (无引脚终端)
-慢速模式使用 TXDRV[19..16]=0100b (上升/下降时间0.5ns)和 RTERM_EN=0b (无引脚终端)
2)我可以使用数据表中定义的开关特性为快速和慢速模式配置驱动强度、但是、由于 TXDRV 具有4位编码、是否存在其他无文档记载的驱动模式对我可能很有用?
Robert Susnik
Robert.Susnik@mvebio.com