[参考译文] DRV425：DRV425 -质量和漂移性能(随时间推移和温度变化)

我想再添加3个注释：

1) 1)我们已经使用3.3V 和5V 进行了测试

2) 2)对于所有测试、对于 EVM、我们以与 EVM 相同的方式配置 R1/R2：REFout = VDD/2

3) 3)我们已采取步骤来验证 EVM 和定制板的输出测量结果是否正确等效。  EVM 板和定制板之间的输出差分采样是相等的。

还有一个问题：您认为外部基准、还是使用内部基准会影响这些偏移漂移结果？

您好、Charles、

以下是检查和验证我的假设的几件事。

• 通过温漂、您意味着您在25°C 时测量一次该值、而在25°C 时从该值到另一个时间的差值为500NT？  偏移规格为8µT μ V、但我假设您是 Δ 值。
• 您正在测量 Vout 与 Vref
• 在这两种情况下、您的 VDD 都由相同的电源供电。  对于磁通门偏移、该器件上的 PSRR 很大。
• 您是否使用与 EVM 具有相同值的 R1 (Rshunt)。

感谢您的匆忙回应、Javier。

1)是的、根据温漂、我们的意思是最初使用我们的参考实验室级磁力计从试验箱中移除磁场、然后通过减法将 DRV425 (EVM 或定制板)归零。  在持续1到几天的温度周期内、当温度恢复到25 C 时、EVM 板将返回+/-50 NT 偏移。 我们的板在这些周期的2周后将偏移(可能是对数的、但这是猜测)上升到500 NT。

2) 2)是的、我们以相同的方式差分测量器件的输出。

3) 3)有时是、有时是否、但似乎没有什么不同。

4) 4)我们没有 Rshunt。  我们将 R1直接连接到 VDD。  这可能是个问题吗？  编辑：是的、我们使用的 RSHUNT 电阻与 EVM  中使用的电阻器相同：CRCW0805100RFKEA

这是相关部分、也是我们为测试目的分离的整个 PCB。

我还必须澄清的是、我们使用的是相同的 RSHUNT、 CRCW0805100RFKEA。  当我回应您时、我以为您询问 RSEL 上拉/下拉。

查尔斯

没有什么突出的。  我看到输出滤波器不同、但我认为这不是问题。  我知道输出阻抗不应是一个大问题、因为您有35.7kΩ Ω、我假设如果这是一个问题、则会在初始温度上观察到它。  差分放大器的连接不同、但我也看不到这方面的问题。

我唯一可以说的是、如果器件附近有任何外部电流发生变化、可能导致器件附近的磁场发生变化。

您能否共享此部分的布局？  这可能是一个提示、但我不知道还有什么。  您可以验证 Vref 电压、以确保您的电源不会像我说过的那样移动、磁通门失调电压会随着电源电压的变化而变化、如数据表中所示。