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器件型号：LM26LV 我正在设计一种具有安全工作区(SOA)保护和快速电流限制保护的分立式24伏高侧开关电路。 该电路在电流限制配置中使用了低 Rds-on P 沟道 MOSFET。 即、感应电阻器与 MOSFET 的源极串联、MOSFET 源极将产生 与从漏极流出的负载电流成比例的电压。 此电压用于调节将由 MOSFET 提供的最大电流。 我已经将此电流设置为1安培。 电流低于1安培时、MOSFET 完全开启、并且从源极到漏极下降的 V 极小、因此功率耗散极少。 如果负载消耗超过1A 的电流、则 MOSFET 开始关断、漏极两端的电压将调节至取决于负载电阻的任何值、以便仅提供1A 电流。 更糟糕的情况是总负载短路、0欧姆。 在这种情况下、MOSFET 上的 V 为24V、通过它的电流为1A - 24瓦！ 它将变热...
我会将 MOSFET 的散热焊盘耦合到 LM26L 温度传感器的散热焊盘。 如果温度达到设定点、LM26L 将关断 MOSFET。 如果短路仍然存在、MOSFET 它将在 LM26L 的设定点和迟滞(关闭)之间发生。 因为该平均温度低于 SOA 限值、所以这个循环是可以的。
我的问题：是否可以通过覆铜将 LM26L 的散热焊盘耦合到 MOSFET 漏极散热焊盘(已焊接)？ 在典型负载下、MOSFET 漏极将需要大约24伏- 0.65伏的最大电压。 有望解决 LM26L 散热焊盘和其他引脚之间的介电绝缘问题。
