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[参考译文] PMP10783:PMP10783稳定性问题;TI 功率级设计人员工具显示相位裕度不符合标准。

Guru**** 648580 points
Other Parts Discussed in Thread: PMP10783, PMP8678, PMP10833, UCC28C42, UCC28C59
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1125926/pmp10783-pmp10783-stability-query-ti-power-stage-designers-tool-shows-phase-margin-is-not-meeting-the-criteria

器件型号:PMP10783
主题中讨论的其他器件: PMP8678PMP10833UCC28C42UCC28C59

大家好、团队、  

我们将 PMP10783用于高压至低压电源设计。  

我们的要求如下。  

VIN 典型值= 450V DC  

VOUT 典型值= 15V 直流  

输出电流典型值= 0.8A。

我们使用 TI 功率级设计人员工具来检查电路的稳定性。 根据参考设计中的值,相位裕度( PHCO )不符合稳定性标准(约10度)。

您能否为我们提供支持、无论是我们必须遵循参考设计还是功率级设计工具。  

我们确实不确定功率级工具中的 Vsolpe 值。 当前、由于我们的应用的占空比变化较低、因此它设置为1。

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    大家好、团队、

    我们处于设计冻结阶段、请 尽快回复。

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    您好!

    我不认为功率级设计器工具环路计算器涵盖了应用 PMP10783的"平均"反馈方法。 因此、功率级设计器的结果无效! 我建议您创建电路的电路仿真模型、并通过设置负载瞬态来检查稳定性。 通过观察响应、您将知道它是否稳定。

    https://www.ti.com/lit/an/snoa507/snoa507.pdf

    此外、由于占空比很低、您无需应用斜率补偿。

    此致、

    Sheng-Yang Yu

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    感谢您的意见。 我们将在分析后再次回来

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    您好 :Shen-yang Yu1、

    "平均反馈方法"是什么意思?

     

    反馈电路看起来是共模分压器和类型2补偿(峰值电流控制模式)。

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    请注意、IC 接地连接到开关节点。 因此、只有当续流二极管传导电流时、才能感测输出电压。 因此、当 D2导通电流时和 D2未传导电流时、添加 C2以对电阻分压器上的电压求平均值。 我称之为"平均反馈方法"。 输出调节实际上与 C2上的电压纹波有关。

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    您好!

    我们是否可以对800V 的输入电压使用相同的设计?

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    800V 直流输入? 您将需要使用额定电压较高的输入电容器。 此外、占空比很低、因此效率较差。 使用像 PMP8678这样的反激式转换器将更加高效。

    https://www.ti.com/tool/PMP8678

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    您好 :Shen-yang Yu1、

    我们知道、如果进入800V 输入、我们需要实施以下更改

    1.增加输入电容额定电压(相应地更改平衡电阻)。

    2. MOSFET 变为更高的电压(我们的最大输入电压超过900V)。

    3.调整起动电阻器( R4和 R5 )以获得所需的启动时间。

    我还有几个问题

    1.除了对效率的影响严重外,我们是否要对800VDC 输入使用相同的设计?

    2.在电流设计中,最大输入电压为400Vac。 为什么使用1200V SiC 肖特基?

      我们可以使用较低电压的二极管吗?

      还是硅标准二极管、而不是 SiC 肖特基二极管?

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    您好!

    您能否检查并回复我的最新查询? 我们处于拓扑最终确定阶段。

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    很抱歉我迟到了。

    我唯一的另一个问题是、随着占空比变得更窄、导通时间脉冲宽度可能非常接近电流感测 RC 滤波器时序常数。 因此、您需要仔细调整 RC 滤波器的大小、还需要较重的虚拟负载、以防止输出超出稳压范围。

    我之所以使用 SiC 二极管、是因为在 PMP10783设计中、我仍然在连续导通模式(CCM)下运行。 在 CCM 下、续流二极管 Qrr 会对效率产生很大影响。 这就是我使用 SiC 二极管的原因、因为 SiC 二极管具有非常小的 Qrr。

    如果您要使用硅二极管、您将始终像我在 PMP10833中所做的那样在非连续导通模式(DCM)下运行。

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    您好、感谢您提供相关信息。

    使用 的电感器部件7447480331的最大额定电压为120V (请与供应商核实)。 但电感器在 MOSFET 导通期间经历的最大电压将与输入电压(400VAC、565VDC)相同。 因此、使用额定电压较低的电感器是安全的?

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    您好、Shen-yang Yu、

    您能回答这个问题吗?

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    Anoop、

    PMP10783设计选择标准电感器器件来验证电气性能。 但我们确实需要磁性供应商来测试/保证电感器额定电压。 有关绝缘设计、请咨询磁性元件供应商。 我无法保证磁性元件供应商。

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    感谢您提供信息。

    我们计划使用另一个 MOSFET 部件( Infineon 公司的 IPD90R1K2C3)。 PWM IC 器件数据表未指定 MOSFET 驱动器输出的电流能力。 我们如何确保 PWM IC 能够在特定的导通时间内有效地驱动 MOSFET?

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    UCC28C42数据表指定了给定200mA 灌电流和拉电流的上拉和下拉电阻器。 此外、数据表还指定了1nF 电容的上升和下降时间。 如果您想在构建电路板之前了解驱动能力、可以根据这些信息创建仿真模型。

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    您好!

    对于900V 输入设计、计划使用 SiC MOSFET。  UCC28C42可用于驱动 SiC MOSFET?

    很难找到非 SiC 的1200V 额定 MOSFET。

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    我们实际上拥有可与 SiC FET 配合使用的新器件: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/ucc28c59-q1.pdf

    我认为 UCC28C59是替代方案。

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    您好!  

    在数据表中、正常型号与 SiC 型 PWM IC 之间的唯一区别是启动电压阈值。

    我是对的吗?

    栅极输出驱动看起来也相同(相同的 Rdson 值)和架构。

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    新器件特意具有更高的 VDD UVLO 电平、从而使 SiC 驱动电压更高、从而针对 SiC 进行了优化。