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[参考译文] PMP12072:通过 JP1连接器将 Rev A 板连接到扩展 FET 板

Guru**** 633105 points
Other Parts Discussed in Thread: PMP12072, CSD19537Q3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1020652/pmp12072-rev-a-board-to-the-extended-fets-board-via-the-jp1-connector

器件型号:PMP12072
主题中讨论的其他器件: CSD19537Q3

大家好、  

你好。  

您能帮我们检查客户的设计。 我们在此附上了一个原理图供您查看。  

 我们的客户通过设计新的 PCB 板定制了电路板、在该电路板上、他们不仅添加了原始 PCB 板中所示的 Q3和 Q4、还添加了多个 FET 并连接源极(引脚1、2和3)和栅极(引脚4) N 通道 MOSFET 的输出电压。 根据 PMP12072 REV A 的原始设计、只需添加更多的 Q3和 Q4即可获得更大的功率或电流、因此、它们添加了更多的 Q3和 Q4并将其放置在不同的 PCB 板上。 这样、它将有一个更小的 PCB、使用单个散热器更容易冷却。  

原理图上的 Q3至 Q24是 N 沟道功率 MOSFET CSD19537Q3 (MOSFET MOSFET 100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET、单路 SON 3mm x 3mm、14.5m Ω 8-VSON-CLIP -55至150)

如图2所示(让我们将其称为功率级)、它们可以制造更多的功率级 PCB 以增加电流或功率、而无需制造另一个驱动器电路(即带有变压器的初级侧)。 因此、通过 JP1连接器连接 N 通道功率 MOSFET 的栅极和源极、单个驱动器 PCB 板可以驱动多个功率级 PCB (如图2所示)。

如果您认为不可行、请告知我们 、以便我们的客户可以找到另一种方法为  其项目添加更多电流或功率。

此外。 您能否给我们介绍一下所使用的自由。  频率是否固定? 如果没有、如何控制频率? 您是否认为 RT 控制输出频率、这意味着如果它们使用可变电阻器、则可以调整频率。  

 

提前感谢您的支持。  

此致、

Jonathan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好 Jonathan、

    是的,这是一个固定频率部件,“RT”引脚控制开关频率,该频率当前设置为200kHz。 该频率专为搭配 PA0173NLT 隔离变压器使用而选择。 我不建议更改它。

    关于使用单个驱动器控制 FET 组的原始问题:这应该很好、除了由于许多 FET 引入更大的栅极电容、FET 的导通和关断时间将需要更长的时间。

    此外、确保 FET 的输出组连接到相同的负载、而不是不同的负载。 变压器提供从控制输入到次级侧负载的隔离。 如果要使用多个负载、我建议为每个负载使用单独的控制单元(即单独的推挽驱动器和变压器)。

    原理图显示了 FET 将在负载侧进行开关的120VAC。 如果确实如此、我强烈建议使用漏源电压额定值至少为250V 的 FET。 其原因是 FET 将遇到的峰值电压最高可达190V。 这也意味着需要将双向 TVS 二极管额定值更改为更高的值、可能也需要更高的额定功率。

    最后,原理图还显示了连接在栅极和源极之间的客户新“功率级”电路板中的 TVS 二极管。 这是不正确的。 请在漏极1和漏极2之间连接 TVS 二极管(使用新的正确额定值)。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Hrag、

    我们的客户已收到您的答复、并感谢您的支持。  我在这里重新发布了他们的反馈。  

    "正如建议的那样、我想问以下问题是否将回答有关由单个驱动器控制 FET 组的原始问题、在这样做时、许多 FET 将引入更大的栅极电容、 FET 的导通和关断时间将会更长、因此、如果我在 FET 的栅极放置一个1kOhm 的电阻器、则应通过大幅降低栅极电容来提高效率。 最后、源如何未连接到 GND? 我想在 FET 的源极上使用10千欧、然后将其接地。"

    随附的原理图供参考:

    e2e.ti.com/.../Schematic.zip

    期待您的回答。 谢谢你。

    此致、

    Jonathan

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    你好 Jonathan、

    我在所附的原理图中注意到 JP1上有一些错误连接。  我接着绘制了一个原理图、向您展示"功率级"电路板需要如何外观。

    栅极电阻器不需要如此高。  该栅极电阻器不会改变稳态效率。  1欧姆实际上是好的。  如果有任何问题、该栅极电阻器的值越大、FET 的导通和关断时间就越长 、并且在开-关或关-开-开转换期间可能产生更多的功率损耗(即热量)。  请参阅本帖子末尾随附的原理图。

    关于源是否连接到 GND: "功率级"没有 GND。  它实际上是浮动的。   电路中的唯一 GND 是连接了12VDC 的驱动器的隔离式初级侧。

     我要做的另一件事是、SSR 不应连接到变压器绕组。  这将使系统短路。  也许这只是作为一个符号????  但愿如此。  两个 SSR 输出端子需要完成一个电路、因此需要将其与交流电路串联、以打开或关闭环路。

    最后、FET 的额定电压不可见、但正如我在上一篇文章中提到的、FET 漏源额定电压需要为250V 或更高、以确保安全。