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[参考译文] WEBENCH®︎工具:MOSFET 功率损耗工具与 WEBENCH 之间的结果不匹配

Guru**** 1952840 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17575Q3, TPS40304, CSD16340Q3
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https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/637626/webench-tools-results-mismatch-between-mosfet-power-loss-tool-and-webench

主题中讨论的其他器件:CSD17575Q3TPS40304CSD16340Q3

工具/软件:WEBENCHRegistered设计工具

您好!

我使用 WEBENCH 创建了一个设计、WEBENCH 是基于 TPS40304的降压转换器。  该工具为高侧和低侧开关选择了特定的 NexFET (CSD16340Q3和 CSD17575Q3)、输出报告包含了这些 FET 的功率耗散图。  然后、我转到了 MOSFET 功率损耗工具、选择了相同的 IC、相同的电感器值和相同的 FET、与 WEBENCH 中的功率损耗曲线图相比、功率损耗曲线图显著不同。  功率损耗工具提供的数字高出2倍以上、这是一个非常重要的差异。  哪种工具更精确?   

谢谢、

Scott

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    出于完整性考虑、我还应该注意到、在这两种工具中、输入和输出电压、输出电流和频率都是相同的。
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    大家好、Scott、我们将对此进行研究。

    此致、
    Gerold
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    您好、Scott、

        您能告诉我 您设计的测试条件吗? 请提供以下值;   

    VinMin =?

    VinMax =?

    Vout_Usr =?

    IOUT_Usr =?

    fsw =?

    TA =?

      此外、请提供您在 MOSFET 功率损耗工具中使用的参数(如下屏幕截图所示);

    谢谢、

    哈迪

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    输入电压范围为3.0至14.0V

    输出电压为2.3V

    输出电流为14.0A

    Fsw = 600kHz

    TA = 30 C 或任何默认值。  如果需要、我可以向您发送 WEBENCH 报告。  实际上、我将尝试将其附加到 here.e2e.ti.com/.../webench_5F00_design_5F00_1090318_5F00_129_5F00_911506025.pdf 上

    我已附上 MOSFET 工具设置的屏幕截图。  此外、请注意:当我选择 CSD17575作为低侧 FET 并点击 Submit 时、该工具会选择 CSD16408。

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    您好、Scott、

      感谢您提供相关信息。 我研究了这个问题、并观察到高侧和低侧 FET 计算的功率损耗不匹配。 我总结了失配的根本原因如下;

    1 -由于 WEBENCH 和 MOSFET 功率损耗工具之间的一些基础设施差异、这两者中使用的公式有些不同。  

    2- WEBENCH 模型使用更复杂的公式根据 FET 的热阻和结温计算有效的 RDS (ON)。 但是、MOSFET 功率损耗工具使用简单的方法、使用与结温和热阻无关的 FET RDS (on)典型值。 我观察 到、您的给定示例的有效 RDS (ON)几乎是 MOSFET 功率损耗工具中使用的 RDS (ON)的两倍。 由于负载电流为14A、 因此预计会出现更大的导通损耗失配。 当您 减小负载电流时、 两个工具之间计算出的损耗中的失配也会减小。

    由于 WEBENCH 模型更复杂并考虑到热效应、我建议您使用 WEBENCH 工具获得更准确的数据。 当然、如果简单易用、MOSFET 功率损耗工具将变得更加有利。

    如果您有任何疑问或反馈、请告诉我。

    此致、

    哈迪

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    这就是我需要的信息--谢谢!

    Scott