您好，
我将 CD4051B 用于精密感应应用，其中多个参考电阻器多路复用到 ADC 上的参考引脚中。
通道0-8连接到参考电阻器的高侧节点，在驱动 ADC 的 Vref 引脚之前，公共节点将进入用作缓冲器的零漂移运算放大器。
RTD 的激励电流将以10微安为单位，因此我需要考虑所有错误来源。
我从 TI 演示中了解到，泄漏电流将作为输入或输出的电流源，并根据负载或源电阻产生偏移：
但是，这似乎不适合此 IC，因为数据表指出：
如果 TI 的表述正确，那么我必须将泄漏电流乘以极高的负载电阻，该电阻由缓冲运算放大器本身的输入阻抗组成。
即使缓冲使电路的阻抗极高，我是否也应该担心泄漏？
您好，布莱恩，
我已经看到了这一引用，但下面是让我质疑的原因，只是将事物建模为当前来源：
您发布的参考表明，考虑到放大器的高输入阻抗，可以忽略它。
此外，我还必须考虑泄漏气体远高于10pA 的最坏情况：
CD4051B 是否有任何资源以图表形式显示泄漏和温度之间的关系？
布莱恩，我读过这段文字，我认为你也应该回去阅读。 表1评估了工程师是否可以忽略漏损，该表仅考察了公式1和2中所示的 Ro 和 Rsource 的影响。 我发布的屏幕截图质疑忽略 Rload 的假设。 本文中的错误绝不是 Rload 计算出的错误，该错误用于提出索赔(如果工程师可以忽略此错误)。
TI 视频详细介绍了如何计算错误(请阅读下面屏幕截图中显示的文本)，这一假设得到了增强：
如果缓冲放大器的输入电阻在 Gohms 中，那么当您通过计算器时，即使是微小的漏电流也将是一个问题。 这就是为什么我认为 TI 的两个引用都忽略了它——因为经过一段时间后，您无法将泄漏建模为电流源。
Aidan 您好，
这篇文章引用的是 RL，但不是以相同的术语。 这篇文章称为 RSH：
通过视频，视频可以大大简化负载电阻的影响，因为视频只是为了基本了解漏电流，并专注于多路复用器本身的影响(此外， 负载可以是多个值，因此可以忽略它，以确保电流来自何处以及独立的 mux 影响是什么(而不是系统级别)。 实际上，您不能忽视负载电阻，而且它肯定会根据多路复用器的泄漏电流受到影响(这就是为什么在应用中使用极低的泄漏性能(即使是几个紫外线也会受到影响)至关重要。
不管怎样，像我之前提到的那样，电压偏移将等同于您在系统条件下看到的 IOFF 泄漏电流乘以负载电阻。 因此，如果您的负载电阻过高，并且您需要在当前配置下获得更高的准确度，则您需要接受准确度损失，降低输入阻抗或获得性能更高，泄漏电流更低的多路复用器。
希望这能消除一切！
谢谢！
布莱恩
与 rsh 相关的所有内容都位于 MUX 的输入端。 RL 位于 mux 的输出端。 我不确定你怎么能说 rsh 是一样的。 阻抗的大小相差太大，如果考虑输入到缓冲区时保持当前源模型，我会感到惊讶。 如果是这样，那么每篇文章都会说，不要将这样的缓冲区用于 MUX 的输出。
许多 ADC 使用多路复用器来提供高阻抗缓冲器，我确信纳放大器泄漏值的偏移量不会超过您所引用的数十个 UV 值。
