主题中讨论的其他器件: SN74CBT3306
开关 Gurus:
我在该器件中根据 Dakotah 的建议进行了设计:
https://e2e.ti.com/support/switches_multiplexers/f/388/t/618079
但是、当器件未通电时、我的客户端在 NO 端子处看到信号吸收电流。 我被告知此器件具有 IOFF 保护。 情况不是这样吗?
最棒的
Trey
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
开关 Gurus:
我在该器件中根据 Dakotah 的建议进行了设计:
https://e2e.ti.com/support/switches_multiplexers/f/388/t/618079
但是、当器件未通电时、我的客户端在 NO 端子处看到信号吸收电流。 我被告知此器件具有 IOFF 保护。 情况不是这样吗?
最棒的
Trey
Dakotah
我看到的真的很奇怪。 我按如下方式连接了该器件:
我已删除 SN74CBT3306以隔离此问题。 +5V 网络具有 IT 电源切换功能、而 EX_5V 始终处于通电状态。 在稳态断电条件下、IN_A_0的电压为预期的2.5V。 加电时、由于额外的10k 电压现在是并联的、因此电压会略微下降。
现在、对于奇怪的部分... 当+5V 断电时、我看到 IN_A_0下降至~1.2V、并停留大约10秒钟、然后恢复至2.5V。 在我看来、这款器件似乎锁存了一些不应该锁存的东西。
为了证明我的测试设置、我在移除 TS5A32166的情况下具有该电路的另一个实例。 该电路的行为符合预期。 我还验证了器件上的标记、以确认分销商未出现错误。
有什么想法吗?
谢谢、
Trey
您好、Trey、
感谢您提供有关所遇到问题的更多信息。
这似乎与模拟开关的电荷注入(Qj)规格有关、而不是与 Ioff 保护规格有关。 但是、它以这样的方式表明、当您使用 Ioff 保护时会遇到它。
电荷注入是由 NMOS 和 PMOS FET 产生的杂散电容导致的电压电平变化。 由于 FET 的几何形状、这些电容不匹配、因此在切换开关时会重新分配电荷。 使用 Ioff 保护时,电荷将需要遵循 Q=C*V 的规则
要对此进行测试、请尝试在电路板上放置一个负载电容器、以最大程度地减小电荷注入影响。 由于 Q = C*V,较大的负载电容器会导致较小的电压干扰,因此需要权衡系统级带宽的降低。
这 是一个讨论 Qinj 的高精度实验室视频。 规格 (以及泄漏电流)。
如果 NO 端子上已经有一个10uF 电容器、则这应该足以处理由于器件电荷注入而导致的电压变化。
您能否验证以下测试用例:
1) 1)已在多个单元上观察到此事件、如果可能、最好是新电路板? (可帮助确保器件未因先前的某些事件而损坏)。
2) 2)尝试更改电容值、以查看电压变化的行为是否随电容值的变化而有所不同。
我将在实验练习中查看是否可以在器件上复制此内容。 如果不是、我可以通过个人消息与您联系、以查看您是否可以发送您的一个商品进行进一步调查。