您好！
在本例中、我需要非常小的传播延迟。 我的应用是5V <->3.3V 双向总线。 正常电平位移器(例如：LVC、AXC 系列)指定至少4ns 的延迟。 诸如 CBT 之类的开关提供小于0.5ns 的延迟。 我是否可以继续使用 CBT 而不是公共电平转换器。 此外、我无法理解 CBT 和类似系列如何在没有特定 DIR 线路的情况下提供双向数据流。 在~200MHz 数据速率下自动感应的方式。 请您解释一下。
谢谢、此致
穆苏塔
您好，Muthu，
CBT 器件系列只能进行降压转换、例如5V 至3.3V。 需要使用3.3V 至5V 的外部组件。 这仍然可以提供解决方案、但需要将外部组件纳入您的总体传播延迟预算。
该器件本身在图片中的数据表中进行了详细说明、发布在下面以供参考：
它们本质上只是 N-MOSFET 开关。 这意味着它们只能达到 VG - VT、对于该部件、这在5V 至3.3V 范围内运行良好。 但是、如果施加3.3V 信号、则开关的另一端将出现3.3V 信号、因此需要使用外部组件来提升电压、这可能会增加传播时间。
由于其架构、开关是双向的。 器件中使用的 N-MOSFET 具有非常相似的漏极和源极特性、因此施加到 A 的信号 B 与进入 B 的信号 A 极为相似。在这种情况下、本质上是双向的、这意味着 A 和 B 都是输入或输出、 器件物理特性和运行条件将决定每个启用的开关中的电流流向。
最后、器件不会检测数据速率。 它的200MHz 带宽由器件的寄生电容决定。 本质上、所有 MOSFET 上都有寄生电容、具有足够高的频率、这些电容开始像短路一样起作用。 对于多路复用器、这具体意味着大于200MHz 的频率可能会有大于3dB 的损耗、因为在较高频率下器件中会产生低阻抗路径。
此致、
Parker Dodson
