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F28M35H52C1RAM的使用问题



工程师你好!

我目前正在使用双核F28M35芯片进行项目开发,按照说明书里M3有32K的16位RAM,C28有36K的16位RAM,共享RAM有64K,可是我在C28系统里为什么只能定义2K,再往大定义到4K就编译不过去了。

错误如下:

"C:\F28M35\F28M35x_common\cmd\F28M35x_generic_C28_FLASH.cmd", line 148: error #10099-D:

   program will not fit into available memory.  run placement with
>> Compilation failure
   alignment/blocking fails for section ".ebss" size 0x1060 page 1.  Available
   memory ranges:
   RAML2        size: 0x1000       unused: 0x1000       max hole: 0x1000   
error #10010: errors encountered during linking; "D_blinkly_dc_c28.out" not
   built
gmake: *** [D_blinkly_dc_c28.out] Error 1
gmake: Target `all' not remade because of errors.

**** Build Finished ****

 

后来我指定了

Uint16 Mc_Dat1[2048];
Uint16 Mc_Dat2[2048];

#pragma DATA_SECTION(Mc_Dat1,"SHARERAMS0");
#pragma DATA_SECTION(Mc_Dat2,"SHARERAMS0");

这样的声明,用来使用共享RAM区

可是在McBSP口采集到的数据往这两个数组里放,根本放不进去,debug调试的时候,一直都是0,,McBSP口确实有数据过来。

  Mc_Dat1[Mc_Cnt]= McbspaRegs.DRR1.all;仿真的时候,这里DRR1可以看到数据。
  Mc_Cnt++;

请问cmd文件该如何编写呢