MSP430F2416如何擦写片内地址》64k的地址空间？

这部分内容在用户手册312页：http://www.ti.com/cn/lit/pdf/slau144，可以结合以下网页一起看：http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_2053410.HTM

谢谢Viki，但是网页中只有正常的对地位地址空间的读写方式。

如果我要对0x13000这个地址的扇区进行擦写操作的话，总是不成功。

void Test_WriteFlash(void)
{
U16 i;
char* pdb;

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

//second segment
pdb = (int *)FLASH_TEST;
FCTL3 = FWKEY; //clear lock bit
FCTL1 = FWKEY + ERASE; //set erase bit

*pdb = 0;
FCTL1 = FWKEY + WRT; //dummy write
while ((FCTL3 & BUSY) > 0);
*pdb = 0x55;

//-- disable flash write
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;

}

当#define FLASH_TEST 0x2000时，能够把0x2000地址的扇区删除并对第一个 字节写入0x55.

当#define FLASH_TEST 0x13000时，对0x13000地址的操作则无法成功。

      怎么改代码也解决不了。

      这几天我也在考虑一个类似的问题，刚好在前天找到了解决方法。这实际上是地址的问题，应由编译环节解决。设为大地址模式就成了。

     手册里往往只给出简单实例，缺少我们的个性需求。

请问在IAR中，如何实现你说的改成大地址的模式？

Hai Yuan1,

》0xFFFF的高位空间操作不成功，就是由于没有将设置更改为大地址的模式。具体操作见下图。

、

BR,

Lina

Hai Yuan1,

总之就是， 当操作的FALSH地址超过了64KBYTE时，需要在编译器选项中处理器设置里将DATA/CODE MODE设置为LARGE。

上面是IAR中的操作，IAR 开发环境中，右键点项目名称进入Options for node "xxx", 在General Options的Target页面的Data Model选项中 选择Large模式.

为了防止别人也有类似问题，在CCS中时，操作如下：

希望对你有帮助！O(∩_∩)O~

BR,

Lina

__data20_write_short 这个代码就可以解决。