DRV8300: U/V/W三相上，低侧MOS管在打开时, Vgs都有较大的回沟，是驱动能力不足吗？

cooper kuo

Prodigy 60 points

Part Number: DRV8300
Other Parts Discussed in Thread: CSD88539ND

如下图，MOS管使用csd88539nd；

原理图参考：DEMO_MD030A(001)_Sch；

电机是13W BLDC电机，这是驱动能力不足吗？需要怎样改善？感谢

上管MOS打开时的VGS波形，平台期很长；

下管MOS打开时的VGS波形，有较大的回沟才能打开；

1 年多前

0 Katherine Wang 1 年多前

TI__Expert 8680 points

您能展示 VGS 和 SHx 的波形吗？以便工程师查看这些信号的因果关系。

0 cooper kuo 1 年多前回复 Katherine Wang

Prodigy 60 points

你好：

GHA/GLA与SHA三信号波形如下图，请参考：

0 Katherine Wang 1 年多前

TI__Expert 8680 points

您看到平台的原因是因为您正在测量相对于地面的 GHx 电压。为了确定高侧 MOSFET 是否开启，您需要查看 GHx 电压与 SHx 电压的关系。在平台期间您可以看到 GHx 电压与 SHx 电压相同，这表明高侧 FET 仍处于关闭状态。高压侧 FET 直到平台结束才导通，此时您会看到 GHx 电压上升到比 SHx 电压高 10V。这个“平台”区域实际上是低侧 MOSFET 关闭和高侧 MOSFET 开启之间的死区时间。两个 MOSFET 均关闭的死区时间可防止发生直通。

GLx 变低时 SHx 电压升高的原因是因为电流流入低侧 MOSFET 关闭时的相位，并且该电流仍必须继续流动。电流将流过高侧 MOSFET 的体二极管，将 SHx 电压拉至 VDRAIN。

开关期间 SHx 上会发生大量电压过冲和下冲。我建议通过增加栅极电阻来降低栅极驱动电流，以减慢 SHx 开关速度，从而最大限度地减少 SHx 上的过冲和下冲。我们通常建议 SHx 转换速率约为 200ns 上升时间和 100ns 下降时间或更慢。

0 Katherine Wang 1 年多前

TI__Expert 8680 points

cooper kuo 说：
，有较大的回沟才能打开；

您的意思是MOS场效应管打开和场效应管关闭是一样的吗？ “回沟”是指电压过冲？

根据示波器波形，死区时间似乎太长。请问死区时间有多少以及什么连接到芯片上的 DT 引脚上呢？

建议：为了更好地分析波形，所有信号的 0v 电平都应以示波器网格线为参考（将信号 0v 对齐到网格线上），这样可以更轻松地测量信号电压。

cooper kuo 说：
，平台期很长；

因为死区时间被编程为具有很长的值。通过研究GHx、GLx和SHx的信号波形，您可以继续减少死区时间，尽可能小但不引起击穿（两个FET同时导通）。

0 Katherine Wang 1 年多前回复 Katherine Wang

TI__Expert 8680 points

第一条回复中的图片未能成功加载，请您参照这张。

0 cooper kuo 1 年多前回复 Katherine Wang

Prodigy 60 points

我说的“回沟”是指下管GLA信号的上升沿有一个比较大的回落，才重新升上去，才能充分打开下管，如下图；

这个较大的上升沿回沟，是驱动能力不足吗？谢谢

+1 Katherine Wang 1 年多前回复 cooper kuo

TI__Expert 8680 points

GLA的那个下降其实是因为驱动能力太强了。高栅极电流导致 SHx 切换速度变得极快（只有几纳秒的转换速率）。由于 PCB 上的寄生电感，这会导致 SHx 上出现严重的负瞬态，然后也会使 GLA 下降。您可以使用更大的栅极电阻来降低 MOSFET 的切换速度，以减少这种回沟。这样应该可以解决您的问题。