LM5119宽电压输入问题

输入电压变化，占空比就会改变，电感的纹波电流就会变大，峰值电流增大后，电感是不是饱和了？另外就是待机功耗与电感关系不大，55V输入与25V输入待机功耗差多少？

您好，

不是很明白，麻烦解答一下可以吗？

我今天测试了两种输入电压的输出纹波，基本上是一致的。

但是发现有一个问题，在高低压两种输入电压下，比如在25V和45V输入时，驱动波形有一点不一样，如图25V和图45V。为什么输入电压升高时，HO1和HO2输出的波形会不一样，但是在低于25V时候，HO1和HO2的输出波形是一样的。高压时候，感觉相位发生了位移。不知道是什么原因造成。

高压时的这个驱动波，就是您所说的占空比不一样吗？要如何改善呢？

这两个肯定会错位导通，为了不同时导通导致输入电流很大

你电感的饱和电流是多少，找一个饱和电流大于过流保护点的功率电感，另外看看有没有DCR再小一点的

感谢Vental Mao，从两个波形图来看，25V以下的时候，MOS开启和关闭的时间是一样的，但是高于25V的时候，MOS的开启和关闭时间就不一样。

还望解释一下，如何解决电感两端出现电位差的问题，这个问题只有输入电压超过25V才会出现，而且不管空载还是满载都有这问题，这样造成电感发热非常大，甚至烧坏电感。我目前的RT电阻用的是49.9K，对应频率是100K。谢谢

原理图传上来看一下吧

Vental Mao,

您好，原理图如下，麻烦您帮忙分析一下，我现在实在是没有解决问题的方向了，谢谢！

你现在负载是30A么？请上传一下SW1和SW2节点波形

另外先降到15A看下能不能工作？

我看到WEBENCH只能支持到15A，12V30A估计够呛，mos的驱动能力可能不够

https://webench.ti.com/webench5/power/webench5.cgi?origin=new_tool

Vental Mao,

一，这个线路的PCBA我一直有出货的，至少有出货10K了，但是之前我都是限输入电压在25V内的，一般用户是使用20V输入。

二，这个线路的PCBA，我在20V－25V内带载30A是没有问题的，老化测试也可以通过。但是当我把输入电压提高到55V的时候（当然各器件的耐压值有注意更改为更大），整个PCBA的静态功耗就会变得很大（比25V时候的静态功耗大差不多7W），在没有带任何负载的情况下，功率电感温度很高，我测试出来功率电感两端的     压差有0.8V左右。所以目前的问题是输入电压大于25V的时候有问题，问题的表现就是功率电感发热严重。

在输入电压小于25V的时候，电感两端电压是一样的。电感两端的压差随输入电压的增大而增大，到55V的时候，压着有0.8V。

明天我会把SW1和SW2的节点波形上传给您参考。

因为你的输入增大了，所以开关MOS所需的能量增加了，你可以试试缓慢增加Vin，看看在几伏不正常

您好，节点的波形如下，

你好，有几个问题：

1.测试的波形是AC 耦合的么，是SW1到GND 和SW2到GND的波形么？

2. 你在高压55V下可以带载多少

3.你的MOS管的Qg有多大

4.建议你更换电感饱和电流至36A，DCR<3ohm的电感，因为你FB2被disable，这一路电流最大会到30A，你饱和电流25A的电感不够的，估计你这种电感现在最多可以带载20A在55Vin下

1.用DC来测量节点电压

2.电感压差大是因为温度升高，寄生电阻变大导致

3. 你MOS的Qg太大了，找一个想一点的，比如BSC123N08NS3 G

4. 你两个电感都要36A以上的饱和电流