原理图与规格书推荐的一致，只是在给后面的系统供电前增加一个开关。在插入适配器和电池正常充电时，当打开开关时，用示波器查看低边MOS的DS两端发现有一个过冲，有时会冲到34-35V，就把低边MOS击穿。还有一种情况，在用电池给后面的系统供电时，中途插入适配器，发现PG的LED不亮，也没有正常充电，而且有概率击穿低边MOS，导致MOS烧毁，请问这是怎么回事，该怎么解决。
原理图与规格书推荐的一致，只是在给后面的系统供电前增加一个开关。在插入适配器和电池正常充电时，当打开开关时，用示波器查看低边MOS的DS两端发现有一个过冲，有时会冲到34-35V，就把低边MOS击穿。还有一种情况，在用电池给后面的系统供电时，中途插入适配器，发现PG的LED不亮，也没有正常充电，而且有概率击穿低边MOS，导致MOS烧毁，请问这是怎么回事，该怎么解决。
您好，我按照BQ24610手册上的推荐电路画了PCB，给电池充电的时候，上下桥发热非常严重（可能是我散热没做好，后给mos关增加了散热片后，实测表面温度差不多有100摄氏度左右），上桥臂波形正常，下桥臂处于没有开通的状态，Vref电平为3.3V，REGN电平为6V。图是我用示波器捕捉到的开关波形，蓝色为下桥臂。开关频率实测为575Khz。
您好，我按照BQ24610手册上的推荐电路画了PCB，给电池充电的时候，上下桥发热非常严重（可能是我散热没做好，后给mos关增加了散热片后，实测表面温度差不多有100摄氏度左右），上桥臂波形正常，下桥臂处于没有开通的状态，Vref电平为3.3V，REGN电平为6V。图是我用示波器捕捉到的开关波形，蓝色为下桥臂。开关频率实测为575Khz。
你好，我更换NMOS为手册推荐型号后，下桥臂导通了，但是我同时抓了上下桥臂的栅极开关波形发现下桥臂的导通时间短，电路是按照手册推荐电路，在上桥臂的栅极处串了一个0欧姆电阻和该0欧姆电阻处并联了一个1n5819肖基特二极管，下桥臂没做任何处理。得到的波形如下：蓝色为上桥臂，红色为下桥臂。
为何上下桥臂的导通时间不一致，GREN和VREF处的电压分别为6V和3.3V。
