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BQ76952: 短路波形中DSG未降至0V导致MOS击穿

Part Number: BQ76952

TI团队:

    我在使用BQ76952测试短路过程中,发现MOS会炸,采样电阻1mΩ,短路配置为电压阈值为100mV, 延时为30us,短路关闭放电MOS,芯片在检测到短路后,会关断DSG MOS, 但是关闭时间5ms,在此过程中MOS被击穿,下图为未通过实验波形和通过实验波形:

未通过波形,MOS击穿,其中,CH1:DSG,CH2:P+,CH3:SNP

未通过波形,MOS击穿同时B-焊盘被打掉,其中,CH1:P+,CH2:BAT(芯片47引脚),CH3:DSG,CH4:SRP

通过波形,MOS未被击穿,板子正常工作,其中,CH1:DSG,CH2:SRP,CH3:P+

通过上图可以看出在DSG下降过程中始终存在4ms的延时,和放电MOS断开时DSG产生的快速关断不太一致,我想问下这是什么原因?

下图是我的原理图设计:

采样电阻已经改成1mΩ,R26、R27未焊接