Hi Ti engineer,
我司在使用bq21040 用于充电管理时,偶发出现芯片损坏的问题;
使用环境:
充电时使用5V适配器供电,电池充电电流为800mA(规格书中标注的最大充电电流),系统工作电流200mA ;
系统供电采用DC-DC与LDO将bq21040 的输出转换为3.3V;
下图为电路设计,在芯片参考设计上增加了两个二极管;
还请帮忙查看下是否设计上有损坏的风险点,谢谢。
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Hi Ti engineer,
我司在使用bq21040 用于充电管理时,偶发出现芯片损坏的问题;
使用环境:
充电时使用5V适配器供电,电池充电电流为800mA(规格书中标注的最大充电电流),系统工作电流200mA ;
系统供电采用DC-DC与LDO将bq21040 的输出转换为3.3V;
下图为电路设计,在芯片参考设计上增加了两个二极管;
还请帮忙查看下是否设计上有损坏的风险点,谢谢。
Hi
芯片不良模式是什么? 芯片Vin/Vout击穿? 还是其他?
HI
这个芯片输入最高耐压30V, 又有OVP保护,所以过压损坏应该是很难。
而本身恒流设计,也不应该过流。
这类不良比率多少? 注意一下ESD,
目前不良率大概有4%,这个充电芯片的ESD防护怎么加,在vin脚加TVS保护吗?理论来说装好整机后测试正常应该是不会有EDS造成的损坏了吧,对外的接口就是VIN了