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在使用该片子做了一个升压电路，电路采用的是PMP20183的参考设计，参考设计输出200V@10mA,功率2W。我采用相同的电路，空载输出250V，在输出端接上25k电阻后，电压降低为220V,功率只有1.9W。但是我的实际需求是需要5-6W，请问有什么方式能够提高电路的输出功率呢？
我看有的芯片的运用中，通过并联驱动mos增加驱动能力，这种方式是否可以采用（我的mos管Id的最大电流是留了足够的余量的）。
我的电路Vi=12V,采用的四倍压，第一级输出的是63V，理论占空比是81%，是满足芯片参数的。
下图是输出纹波和SW波形，现在就是带载上不去。
HI
确认电感的饱和电流足够大，chargepump电容适当加大。
另外确认一下sense电阻是否有noise影响导致电流过载？
后来我又重新测试了一下功率，输出250V，发现在带载3mA以上就开始出现电压下降的现象，也就是说功率只有250x0.003=0.75W，这和参考设计相差有点大了。
电感采用的是330uH 5.2A的电感，饱和电流是足够大了的，Sense电阻波形叠加了噪声毛刺，小于100mV，没有达到芯片的限流值,而且后面减小了Rsense,依然没有改善。
chargepump电容还没有加大试过，可以尝试一下。不过我的电容值和参考设计上是一样的，都是4.7uF，但是相差的效果比较大。
chargepump电容是C3. C100为0.1uF, 改改看改到0.22uF甚至更大一点点
谢谢关注，C3 C100我已经使用到了4.7uF了，目前采用的是四倍压，倍压电路的电容都用的是4.7uF。
C3,C100并非越大越好，不需要4.7uF这么大，选择0.22uF~0.47uF应该是可以的，具体你可以调试看看，输出电容4.7uF不用改变。
好的，我试试。另外这个电容的大小“并非越大越好”是什么原因呢？倍压电路里面电容的作用就是储能通交流的吧
你可以看看一些chargepump芯片电路的设计，chargepump电容是通过计算出来的。
