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LM62460: LM62460 / LM61480 burn down issue

Fei Yang
Part Number: LM62460
Other Parts Discussed in Thread: LM61480

Hi:

I used two  LM62460 / LM61480 buck ICs for 25V to 12V and 25V to 18V；

The 25V to 12V circuit often burned out in input pin（VIN1&VIN2）when IC powered on.The 25V to 12V circuit had never happened burned out.

two design circuti are the same circuti. Only deference is EN voltage range .The 25V to 12V circuit input enable singal range is 0V - 25V，the 25V to 18V circuit input enable singal range is 0V - 3V，

I have some questions:

    1. The enable voltage range caused the LM62460  burned out?

    2. The bias(5pin) design caused the LM62460  burned out? (According to the specification, because the output voltage is greater than 12V, Bias pin is connected to GND )

    3. Or other reasons cause LM62460  burned out when power on?

Refer to the following figure for design circuit, thanks.

  • 0
    TI__Guru**** 308311 points

    Hi

        使能电压偏高造成的损坏，一般不会烧掉Vin, 并且从你描述看EN电压并非超过规格。

        比较一下两个情况下的负载，以及启动条件？  以及是否有用示波器测试输入的启动波形，以及工作是的波形？

  • 0 回复 Johnsin Tao

    25V to 12V的负载比25V to 18V的负载大，但也不会超过LM62460的输出能力（8A），并且芯片烧毁现象是上电时发生的。

    所以我怀疑是启动时工作状态不稳定导致Vin输入大电流，进而烧毁芯片。

    初始上电时候，主芯片并未工作，12V负载电流不大

    25V to 12V电路的 EN信号是由下述电路输出，通过PWR1和PWR2导通/断开改变Q1 C端输出高低；若Output for 12V EN = H，实际量测其电压约25V，

    若25V输出能力强，有较大电流输出（也即EN电压约等于25V，并且有较大驱动能力），会不会造成芯片烧毁现象？

    另外，输出电压大于12V，LM62460 第5引脚BiAS设计是否有改善的地方，通过webench，参考设计是连接Vout（12V）

     

    上述芯片烧毁现象比较少见，前后使用了10个板子，只有2个在使用过程中，上电瞬间芯片烧毁。所以我怀疑是启动时工作状态不稳定，

    而启动状态仅和上述开店电路相关。请帮忙分析一下，谢谢！！

    非常感谢您的回复，以上信息，请帮忙检讨一下。

  • 0 回复 Fei Yang
    TI__Guru**** 308311 points

    HI

        有没有确认启动瞬间的输入电压波形？

  • 0 回复 Johnsin Tao

    今天量测25V输入波形，使用的是220转25适配器，输入波形正常，多次量测，没有出现瞬时电压很高的现象。

    从芯片烧毁外观来看，位置在VIN1和VIN2，参考下图所示。

    芯片有Current Sense功能，会不会Sense功能未启用，或者Current Sense功能不正常，或者其他原因。

    能否帮忙确认一下，芯片设计电路的改善地方，或者向TI芯片设计担当询问更多信息，谢谢！！

  • 0 回复 Fei Yang
    TI__Guru**** 308311 points

    Hi

       不会是内部电压侦测的问题， 一般是芯片输入过压造成的pin脚损坏。建议你确认一下输入是否有接触不良的问题，因为这个会导致热插拔。

  • 0 回复 Johnsin Tao

    2次芯片烧毁都是在上电后5s内发生的，对于25V适配器的输入，也即存在热插拔的现象，但适配器也不大可能输出高于26V以上的电压（但未实际量测）；

    上电时25V to 12V的EN=H，

    另外，产生25V to 18V的芯片LM62460没有烧毁现象，他们的输入电压是相连一起的，只是上电瞬间，它的EN=0，

    两个芯片的不同之处，他们上电时EN信号是不同的，假如适配器存在热插拔现象，对于EN信号的拉高时间不同，会造成烧毁现象么？

    或者，Ven拉高与Vin之间有没有时间要求？

  • 0 回复 Fei Yang
    TI__Guru**** 308311 points

    HI

       如果是存在热插拔，或者接触不良是会在输入导致一个高压震荡，会远超过25V, 甚至超过36V也是可能的。

  • 0 回复 Johnsin Tao

    对于热插拔这个现象，请问该怎么避免呢？

    有没有有效的解决方案？

  • 0 回复 Johnsin Tao

    我们的输入电压是25V，典型功耗需要8A，我检索了电子保险丝和热插拔控制器（电流大于8A，输入电压大于25V），发现多数芯片最大输入电压是24V，另外他们的设计比较复杂

    如果采用1颗Power PMOS设计，如下图所示，通过增加C382的电容，减缓Q7的输出，这个方案是否可以？

  • 0 回复 Fei Yang
    TI__Guru**** 308311 points

    Hi

       增加一个大功率的TVS管看看效果。

        

  • 0 回复 Johnsin Tao

    在电路设计中，25V输入连接器附近已增加TVS管，型号是SMF24A，具体规格如下：

    今天实际测试了SMF24A，TVS管导通压降正常，说明烧毁瞬间电压未必超过26V。

    另外，请你帮忙确认，增加1颗Power PMOS的设计方案，能否避免热插拔造成的芯片烧毁现象，

    期待您的回复，谢谢!

  • 0 回复 Fei Yang
    TI__Guru**** 308311 points

    HI

       应该是有效果的，但是TI这边没有类似的参考电路以及测试效果，所以很难仅仅从电路上判定一定可以避免热插拔造成的异常（因为TI这边是用芯片做）