BQ25750: 接入48V，击穿电流采样端的差模滤波电容

bo sun

Part Number: BQ25750

电路设计如上，设计指标：适配器电压范围40V~60V（实际使用48V），输入电流最大25A，锂电池标称48V，充电电流最大10A。现在出现一个严重问题，当适配器48V插入后，ACP和ACN之间的差模滤波电容会被击穿（看到明显的电火花），击穿后去掉该电容，测量ACP和ACN对地电阻均为10多欧姆。更换新的电路板，这次在电池端接入48V，SRP和SPN间差模滤波电容也被击穿了（看到明显的电火花），然后去掉该电容，测量SRP和SRN的对地电阻均为10多欧姆。目前无法确定问题出在哪里，整体无法正常工作，希望TI能够提供技术指导。谢谢

1 month ago

0 Taylor 1 month ago

TI__Genius 16525 points

您好，

已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待

0 Daniel 1 month ago in reply to Taylor

TI__Mastermind 24335 points

您好

根据问题描述，差模滤波电容反复击穿且对地电阻异常，可能涉及以下关键因素及解决方向：

1. 电容耐压不足或选型错误

适配器输入范围40-60V（实际48V），需确认电容额定电压是否预留足够裕量。建议至少选择75V以上耐压的X2/Y2安规电容
检查电容型号的脉冲承受能力，48V系统需能承受至少1.5kV的浪涌测试

2. 瞬态电压冲击

适配器热插拔可能产生>100V的电压尖峰（Ldi/dt效应），示波器建议捕获插入瞬间波形
解决方案：在AC输入侧并联TVS二极管或压敏电阻

3. PCB布局缺陷

检查电容焊盘间距：48V系统建议保持≥2.5mm爬电距离
重点排查AC输入走线是否形成环路电感，建议采用星型接地布局

4. 拓扑结构问题

疑似充电电路拓扑中的开关节点电压超限
建议测量开关MOSFET的Vds波形，确认是否超过电容耐压
解决方案：在开关节点与地之间添加RC缓冲电路

5. 系统级验证建议

断开后级电路单独测试输入滤波网络
使用LCR表测量损坏电容的实际容值/ESR参数
对照TI参考设计（www.ti.com.cn/.../BQ25750EVM）核对滤波器参数

6. 故障排查流程

移除所有负载，仅保留输入滤波电路
使用隔离电源缓慢提升输入电压（0-48V），监测电流变化
红外热成像定位异常发热点

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