1.数据表中说可以有效消除霍尔原件的偏移和漂移 ，是否代表可以消除霍尔的温漂？
2.数据表中可以提供250mA H桥驱动传感器补偿线圈 ，这个是否与量程强相关？如果是，设计时通过增加线圈匝数，是否能达到提升量程的效果？如果线圈电阻过大，是否会导致DRV411提前饱和？
3.对于磁芯的材质是否有特殊要求？有无推荐材料
4、error的信息包含哪些？是否可以分享在客户端的error报错的案例？
您好，
1、是的
2、是的，根据其工作原理，补偿线圈的驱动电流越大，在同样补偿线圈匝数时，可以测量的电流范围越大。
是的，我认为可以考虑通过增加补偿线圈匝数来扩大测量量程。
是的，要考虑线圈电阻+shunt电阻，在驱动电流下其电压摆幅的限制：
3、有许多不同的材料可用于磁芯。需根据材料性能、电流测量范围要求以及所需的机械形状和成本等标准来确定选择。下面文档的 第2部分 Core and Hall Sensor Considerations 有一些相关说明：
Design Considerations for the DRV411
4、下面datasheet 截图说明了 error flag的条件：
下面参考设计希望对您有帮助：
https://www.ti.com/tool/TIPD184