规格书里面CHG,DSG直接接MOS G极端,应该是让芯片直接准确控制关断延时。
我现在有个问题:我们一般做动力电池,都需要在并联的MOS G极串联电阻,尽量让MOS在短路跟过流时一致。我不知道如果在BQ769XX的电路中,CHG,DGS串联了1R-100R电阻后,除了延时会增加一点,会不会影响驱动能力?
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规格书里面CHG,DSG直接接MOS G极端,应该是让芯片直接准确控制关断延时。
我现在有个问题:我们一般做动力电池,都需要在并联的MOS G极串联电阻,尽量让MOS在短路跟过流时一致。我不知道如果在BQ769XX的电路中,CHG,DGS串联了1R-100R电阻后,除了延时会增加一点,会不会影响驱动能力?