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电源管理论坛
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常见问题

  • [FAQ] TPS2663: PGTH 在 TPS2663 中有何作用

    Part Number: TPS2663 问： PGTH 在 TPS2663 中有何作用？

  • [FAQ] TPS2662: 我是否能够将 RTN 连接到 GND

    Part Number: TPS2662 问： 我是否能够将 RTN 连接到 GND？

  • [FAQ] LM25066: LM25066I、LM25066A、LM25066IA 和 LM25066 之间有何差异？

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  • [FAQ] UCC21520: 单个 PWM 信号能否驱动双输入驱动器？

    Part Number: UCC21520 Other Parts Discussed in Thread: UCC20520 单个 PWM 信号能否驱动双输入驱动器？

  • [FAQ] UCC21520: 如何在上电期间防止功率 FET 误导通？

    Part Number: UCC21520 如何在上电期间防止功率 FET 误导通？

  • [FAQ] SOT23 和 SOT563 封装的热性能有何差异？

    某些 TI 转换器采用 SOT23-5、SOT23-6 和 SOT563 封装。为应用选择合适的器件时，在热性能方面需进行哪些权衡？

  • [FAQ] TPS546D24A: 选择 Rboot 并计算 Rboot 功耗

    Part Number: TPS546D24A 在 TPS546D24A EVM 和许多 TI 高电流降压开关转换器参考设计中，我看到有一个与 BOOT 引脚串联的电阻器，用于将电容器连接到开关（SW、PHASE 等）引脚。 如何计算 Rboot 电阻器的阻值？ 如何计算 Rboot 电阻器中的功耗，以便能够正确确定电阻器的阻值？

  • [FAQ] TI 的非隔离式半桥驱动器能否用于 100% 占空比应用？

    TI 的非隔离式半桥驱动器不会在内部为高侧通道产生偏置。相反，它们使用外部自举电路来保持高侧偏置。但是，在使用 100% 占空比时，自举电路无法为高侧通道提供偏置，因为它依赖高侧和低侧 FET 的开关来为自举电容器充电以保持高侧偏置：当高侧 FET 关断且低侧 FET 导通时，电容器 C BOOT 将重新充电（图 1），然后在高侧 FET 导通且低侧 FET 关断时，该电容器将放电（图 2）。有关自举电路的详细信息，请参阅此应用手册： https://www.ti.com/cn/lit/pdf/sl…

  • [FAQ] BQ25790: BATFET 在 BQ25790、BQ25792、BQ25798 和 BQ25672 中如何工作？

    Part Number: BQ25790 Other Parts Discussed in Thread: BQ25798 , BQ25792 , BQ25672 在集成式降压/升压充电器 BQ25790、BQ25792 和 BQ25798 以及集成式降压充电器 BQ25672 中，系统 (SYS) 和电池 (BAT) 之间有一个 BATFET。BATFET 将系统电压和电池电压隔离开来。这种隔离会产生所谓的电源路径，这样一来，即使电池电量耗尽，也能将系统调节到最低系统电压 (MINSYS)。电池电量耗尽时…

  • [FAQ] BQ77216: 如何减少电芯数？

    Part Number: BQ77216 当我并不需要 BQ77216 的所有 16 个电芯时，应该如何连接输入？

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