附上TI升压原理文档,请问TI有降压DC芯片计算原理跟LDO原理计算文档吗?
两个公式有疑惑
1.占空比计算公式哪个正确?
D=(Vo-Vi)/Vo与D=1-Vi*n/Vo(其中n为效率),哪个公式正确?
2.开关峰值公式是不是分降压跟升压?
降压中会看到Isw=Iload+IL/2(其中IL为纹波电流 ),但是在升压中看到公式为 Isw=Iload/(1-D)+IL/2(其中IL为纹波电流 ),所以是不是区分升降压?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
附上TI升压原理文档,请问TI有降压DC芯片计算原理跟LDO原理计算文档吗?
两个公式有疑惑
1.占空比计算公式哪个正确?
D=(Vo-Vi)/Vo与D=1-Vi*n/Vo(其中n为效率),哪个公式正确?
2.开关峰值公式是不是分降压跟升压?
降压中会看到Isw=Iload+IL/2(其中IL为纹波电流 ),但是在升压中看到公式为 Isw=Iload/(1-D)+IL/2(其中IL为纹波电流 ),所以是不是区分升降压?
Hi
带效率的计算更加准确,只是我们一般按照前面一个计算,比较简洁。一般效率再90%左右,所以两者计算差别也不大。
升压降压计算当然不一样,topy不一样,差别很大的。