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关于DSP芯片电源引脚的去耦电容问题

Other Parts Discussed in Thread: 66AK2L06

您好,在我自己设计的板子上用到了一块SOC(66AK2L06),我想问一下关于66AK2L06的去耦电容设计问题:

在评估板(TCIEVMK2LX EVM)的CVDD这一路有大量的各种封装的去耦电容,其中包括0201、0402等封装。评估板上,66AK2L06的CVDD引脚的去耦电容是采用0201封装的,放在芯片正对的Bottom Layer层。而在我设计的板子上,选用的最小封装是0402,这就导致了去耦电容的数量少于评估板上的标准数量,造成了相邻两个CVDD引脚共用一个去耦电容。

我这样设计可以满足66AK2L06正常运行的要求吗?有什么方法或标准可以用来判定去耦电容的设计是否满足要求?

这是我的疑问,希望能得到您的解答。非常感谢!

  • Hi
    你总共放了几个电容? 或者说0402的电容,你在CVDD上放了几个?
    我个人觉得应该问题不大,你可以用示波器看一下波形,只要是高频noise?
  • 感谢您的回复。
    该芯片上CVDD共有71个引脚,我在芯片的该电源引脚上放了44个0402封装的去耦电容,在板子的其他地方就没有再放这样的小电容(0402封装的小容值的电容)。
    而评估板在芯片的引脚上放了71个0201封装的去耦电容,在芯片的外围又放了50个0402封装的去耦电容。
    关于大去耦电容,我的数量和容值选择是和评估板一致的。
    但我在0402去耦电容的容值选择上,对部分电容有刻意选了大一些的容值。因为现在还在设计阶段,所以想求证一下这样设计是否合理。

  • 这种电容叫退耦电容。设计关键点是满足DSP峰值运算对电流的瞬态响应和干扰的滤除,用啥封装都只是实物反应形式。电容频率响应特性和位置,电容与地线覆铜相关组合要求是设计电容的理论依据。在缺少PCB高频仿真条件下;这种设计更多是经验的反应。
    因此;建议在初期设计时,结合实际;尽可能参考评估板方案。可以适度合并同一位置相近容量电容。
  • 感谢您的回复。
    根据您说的,我有几个问题:
    1.去耦电容应该就是退耦电容吧?都是“decoupling”的意思啊
    2.使用去耦电容的目的是为了满足DSP峰值运算对电流瞬态的响应和滤除高频噪声,但不同封装的ESL,ESR是不一样的呀,这就很大程度地影响了您说的电容频率响应特性,在电路中所起的作用也会不一样啊。所以什么是“用啥封装都只是实物反应形式”啊?
    3.“电容与地线覆铜相关组合要求”是什么意思啊?指的是电容就近打地孔之类的吗?还是说有其他的准则?您能再点拨一下吗?
    4.对于芯片核心电源去耦电容的设计,除了评估板可以参考,还有什么可以用来衡量这个设计是否能满足要求?因为不知道DSP实际运行时内部各管子的通断情况,也就不能准确得出DSP的峰值电流变化情况,那我觉得做PI仿真的可信度就不高了啊。在这时候,有什么具体的措施可以来减少设计风险或者评估设计是否满足要求?(我是在板子空间允许的条件下,最大程度地去布放这些去耦电容了,因为封装选的0402,比0201大了许多,所以导致放不下)
    5.“适度合并同一位置的相近容量电容”,这有什么讲究的吗?或者一般的经验法则是什么样的啊,您能稍微再讲一下吗?
    期待您的解答,非常感谢~