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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1061523/drv8308-mosfet-burn
您好、
我们将 DRV8308与 IRFS7430搭配使用、驱动电流为50kHz 和100mA。 但是、我们使用较低的 PWM 占空比来处理高侧 MOSFET 烧坏。 似乎是热问题。 我们可以尝试哪些方法来避免此问题？
此致 Peter
尊敬的 Peter： IRF7430的 Qgd 非常大、为209nC。 使用100mA 驱动电流会导致 VDS 压摆率约为2.09ms。 由于 ID^2 * Rdson 功率损耗与 MOSFET 封装的热性能相同、这种较长的导通时间会导致热耗散增加。 您能否将栅极驱动电流 IDRIVE 增加到最大设置？ 如果 MOSFET 继续老化、则需要使用较低的 Qgd MOSFET、因此 VDS 压摆率约为100-500ns。 有关 IDRIVE 计算的更多信息、请访问 ：https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/38/t/796378谢谢、 Aaron
您好、Aaron、
谢谢您、我已经试用了 TI 的 CSD18511 MOSFET、看起来工作正常。 由于布局适用于 D2PAK 7、因此我无法使用此 MOSFET。 您对 Infineon 的 IPB020N04 G 有何看法？
关于 IRF7430的 Qgd、您从哪里获取了209nC？ 我在数据表中仅找到98nC？
此致、
Peter
尊敬的 Peter： 您可以发送所用 MOSFET 数据表的链接吗？ 我查看了错误的器件、它看起来是 IRF743、但找不到良好的文档。 如果您使用的是3引脚穿孔引线 式 MOSFET 封装、是否可以使用 IRF740？ https://www.vishay.com/docs/91054/91054.pdfQgd 似乎为32nC、这将有助于提高 VDS 压摆率。 谢谢、 Aaron
所用 MOSFET 的 PDF：
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
这里是我今天测试的 CDS18511KTT、没有问题：
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd18511ktt.pdf?ts=1639402400273&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F
由于我们已将封装更改为 D2PAK-7、因此我将使用此封装。 您对此有何含义：
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPB020N04N-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30431936bc4b0119382c70a859ed
我们使用了 D2PAK、并在过去更改为 D2PAK-7。 也许我会改回 D2PAK 和 CSD18511KT、但现在我需要解决方案。 是否可以使用 IPB020N02N G？ 我们有18V 系统、最大电流为100A。
尊敬的 Peter： IPB020N02N G 看起来是一个很好的解决方案。 它具有低 Qgd = 11nC (TI FET 使用9nC、因此两者均为低电平)。 原始 FET 具有10倍的 Qgd = 98nC、因此导通速度慢10倍、并且具有更高的 Rdson 开关损耗 、并且可能过热。 谢谢、 Aaron
谢谢 Aaron、
我们将对其进行更改、并将查看是否所有操作都正常。
当然、我将关闭这个线程。 如果您的问题未得到解决、请随时回复或启动新问题。
