TRF7970A后端加射频功放引起系统噪声过大以及SPI时序问题

老师好!
公司最近在使用TRF7970A开发一款NFC设备,由于在后端加了一个3W的射频功率放大器,导致电路噪声大导致MCU不能正常工作,现在想改进这一电路,有几个问题想请教您:
1.TRF7970的几个地(VSS_PA,VSS_RX,VSS,VSS_A,VSS_D)如何连接才能使噪声最小化?
我的计划是VSS_PA,VSS_RX相连作为PA_GND,VSS,VSS_A,VSS_D相连作为GND,PA_GND与GND通过磁珠单点连接,是否可行?关于接地,有哪些更好的建议?
2.插入光耦阵列导致SPI通讯异常
我在MCU和RTF7970A之间插入光耦阵列(信号包括EN,SLCK,MOSI,MISO,SS,IRQ),期望减少MCU端的噪声,现在却导致了SPI通讯异常,光耦引起的延迟为1.5us左右。具体现象如下:程序像是停止运行,但是可以响应定时器中断。把光耦去除,则通讯正常,请问出现这个问题是否是光耦延时导致的SPI通讯异常?我参考的是官方程序,如何才能时序上更加可靠?

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