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  • RE: [参考译文] LM5022：LM5022关于

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Seung， 感谢您的联系。 您可以在器件的产品文件夹中的"设计工具和仿真"下找到用于反激的 Excel 快速启动计算器、该文件的链接为 ：https://www.ti.com/tool/FLYBUCK-FLYBACK-DESIGN-CALC 此致、 Em
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  • RE: [参考译文] LM5141：请查看原理图。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Timothy。 我是郑先生提到的客户。 在您回答后、我有一个问题。 问题1： 特定于我们对 Buck (LM5141)的要求、 目标输入 V 为48、范围最小值为12V ~ 65V。 输出功率要求是 Vout 为5V、Iout 为5A (包括足够的裕量)。 但是、实际电流消耗预计低于2A。 所以,我不明白你的说法"因为 Vout =12V,...... "。 …
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  • RE: [参考译文] LM5163-Q1：减小电感器值和大小

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好Olivier： 通常会计算电感器，使脉动电流约为输出负载电流的40 % (器件的满载能力)。 如果他们想要最小化电感器尺寸，我建议使用更高的切换频率，并可能设计电感器中的50 % 波纹。 他们可以在此处参阅基于Excel的快速入门计算器： https://www.ti.com/tool/LM5163-LM5164DESIGN-CALC</s>5164 谢谢，…

  • RE: [参考译文] UCC25600：计算 OC 感应网络组件

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、hy、 我建议使用 UCC25600 Excel 计算器表。 它将为您计算所有必要的参数： https://www.ti.com/tool/UCC25600-DESIGN-CALC 此致、 本·洛夫
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  • RE: [参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Udesh、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。 在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。 您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压…
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  • RE: [参考译文] TPS2121：关于建议的设置。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kengo、 TPS2121的工作原理是、当您将器件置于 XCOMP 模式时、它会将优先级设置为一个电源、如数据表中的输出源选择表和以下内容所示： 该优先级通过 PR1和 CP2上的分压电阻确定。 一旦 PR1和 CP2电压交叉、器件将切换。 我已附上一份 Excel 表格、您可以使用这些电阻分压器来查看器件的反应。 如果您有任何其他问题、请告诉我。 此致、 …
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  • RE: [参考译文] CSD87350Q5D：降压转换器的 MOSFET 导通损耗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Biswajit， 感谢您关注 TI FET。 在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。 这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。 电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为： ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1…
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  • [参考译文] LM5145：&quot；LM5145DESIGN-CALC&quot；和&quot；LM5145反相降压-升压快速入门计算器&quot；

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 , LM5145-Q1 , LM25145 , LM5146 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1213551/lm5145-differences-between…
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  • RE: [参考译文] THS3491：一些 THS3491 2018模型噪声测试、

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嘿、谢谢 Zotan、这非常有用、我去了两个 R 的相对位置、相对于全局27C 设置有一个0C 偏移、然后在 Excel 工作表中转到27C、并将我的 RF 更正为786而不是768 (darn numerlexia -对我来说是一个日益增加的问题)、 计算得出的值为17.9nV、sim 中的值为17.97nV。 这一切似乎都是合理的、并且模块到 calc 足够接近、2018模型非常接近数据表…
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  • RE: [参考译文] CSD18542KTT：热阻的 PCB 设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Masa-San、 下面的链接是一个适用于同步降压转换器且基于 Excel 的 TI FET 选择工具。 我对您的应用做出了一些假设、并使用该工具估算 MOSFET 功率损耗。 我认为 CSD18542KTT 不是此应用的最佳选择。 由于控制 FET 中的高功率损耗、性能不会很好。 我推荐采用5x6mm SON 封装的 CSD18534Q5A。 原始 CSD18543Q3A…

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