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  • RE: [参考译文] ADS124S08：精度

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Sobin： 请查看 《RTD 测量基本指南》中的电路 、因为所示电路与 ADS124S08密切相关。 这一精度将取决于您的系统设计、PCB 布局的执行情况以及您是否进行了任何校准。 Excel 电子表格形式的软件工具(ADC-RTD-CONFIG-CALC)将帮助您进行设计和配置。 此致、 鲍勃 B
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  • RE: [参考译文] UCC25660：ucc25660

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我查看了504 W 原理图、没有看到任何变化。 我查看了1kW 原理图、结果看起来是正确的。 但是、反馈看起来不正确。 您曾提到您使用 MCU 来控制反馈。 我没有从事这种反馈的经验。 然而、UCD3138和 C2000器件确实使用数字反馈。 其中提供了一个 Excel 设计链接、可用于检查功率级中的组件与原理图以及 UCC25660x 的器件设置。 https…
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  • [参考译文] LM5146：LM5146的设计参数

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 , LM5146 , LM5146-Q1-EVM12V , LM5146DESIGN-CALC , LM25145 , CSD18563Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
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  • RE: [参考译文] LM64460-Q1：5V 固定输出型号(CPP)、空载测试、导致 IC 过热和损坏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 是的，您对快速入门计算器没有输出轻负载效率信息的说法是正确的。 关于开关频率、我从布局和原理图中看到 MODE/SYNC 引脚连接到 GND。 这会将 IC 设置为自动模式、从而允许器件在轻负载下降低其开关频率。 随着负载降至0A、开关频率将非常低。 轻负载时、该器件将像 COT (恒定导通时间)一样运行、只有在分压输出电压降至低于误差放大器的基准电压时、高侧 FET 才会开启…
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  • RE: [参考译文] LM74900-Q1：设计审查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shrey： 在共享的原理图中、我看到您有两个软启动电路、您使用的是哪一个？ 您还能填写此 Excel 并与我分享吗？ FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 此致、 S·迪尔

  • RE: [参考译文] TPS7A88-Q1：使用两个通道的单路输出

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Josh、您好！ 如果您需要2A LDO、我们有相应选项可供您使用。 只需告知我们您的关键要求(输入电压、输出电压、输出电流、噪声、PSRR、 等等)。 如果您仍希望使用 TPS7A88-Q1、您可以使用镇流电阻器并联这些通道。 我们最近发布了有关如何做到这一点的新的全面指导。 请访问以下链接。 还有一个并行 LDO 计算器、它获取这些白皮书中的所有数学运算并将其放入易于使用的…
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  • RE: [参考译文] LM5141：请查看原理图。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Timothy。 我是郑先生提到的客户。 在您回答后、我有一个问题。 问题1： 特定于我们对 Buck (LM5141)的要求、 目标输入 V 为48、范围最小值为12V ~ 65V。 输出功率要求是 Vout 为5V、Iout 为5A (包括足够的裕量)。 但是、实际电流消耗预计低于2A。 所以,我不明白你的说法"因为 Vout =12V,...... "。 …
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  • RE: [参考译文] CSD87350Q5D：降压转换器的 MOSFET 导通损耗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Biswajit， 感谢您关注 TI FET。 在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。 这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。 电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为： ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1…
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  • RE: [参考译文] TAS2563YBGEVM-DC：学习板未通过音频检查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Arthur、我已经按照随附的 Excel 电子表格的要求、将修改后的电阻值与 TPS61288评估板连接起来。 在此、您将找到2个选项卡、其中已针对作为所有其他参数函数的 Rfb1和 Rfb2值解算公式。 我使用了一些符号代数来获得这些,希望你会发现它们有用(或者也许你已经有了它们?)。 我的设置现在是： TAS2781上为 Vin 提供12V 电源 为 VDDL 提供4V…
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  • [参考译文] LM5069QUICK-CALC：包含 FET 建议的 LM5069设计计算器

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5069 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1338178/lm5069quick-calc-lm5069-design-calculator-with-fet-…

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