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找到 278 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered
  • RE: [参考译文] TPS2121:电路原理图检查

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Gareth、 您能否确认您的两个输入电源都是5V? 如果是、则会出现问题。 基本上、假设 PR1和 CP2上的电阻分压器、您将始终进行切换。 您将需要 PR1和 CP2上的不同分压器、以便器件在输入直流条件以外的某个点进行切换。 此外、一般情况下、我还建议在 ST 和 PR1之间添加迟滞电阻器、以强制器件等待切换、直到 PR1下降得更明显。 以下 E2E 常见问题解答中对此进行了进一步讨论…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • [参考译文] LM25117-5117QUICK-CALC:用于恒流模式的 LM25117QPSQE 计算器

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/780810/lm25117-5117quick-calc-lm25117qpsqe-calculator-for-constant-current-mode 器件型号: LM25117-5117QUICK…
    • 已回答
    • 7 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:针对高电流的 MOSFET 选择

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sv: 感谢您关注 TI FET。 B2B FET 的最大输入电压是多少? 您提到了 CSD18511KCS、这是一款采用 TO220通孔封装的40V N 沟道 FET。 40V 的 MOSFET 击穿电压是否足以满足您的应用需求? TO220是首选封装还是您更喜欢采用 D2PAK 或5x6mm SON 封装的 SMT MOSFET? 如需详细了解 TI 如何测试和规格最大程度地为我们的…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] UCC28780:PMP30631:使用 PMP30631板修改设计

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jack: 此帖子与您当前正在处理的其他帖子非常相似。 然而,尽管有相似之处,我将单独讨论这个问题。 如果它们都收敛到同一个项目、那么我想关闭这个线程并继续 使用您之前的线程。 为了解决您修改后的 PMP30631仿真结果、其中5V 输出在~3.7kHz 时似乎在5.05V 左右振荡、 我认为这是由于对先前设计的功率级和控制设计进行了部分更改。 5V、6A 的 PMP…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • 自制板的DDR3初始化

    長生
    長生
    在自制的6678板子上测试DDR3,用的是KeyStone_STK_V1.1里的的memory_test例程,自制板子中多了一块用来ECC的DDR3,它在ck线的最后一个,与EVM上的ECC位置(在中间)不同,测量了自制板子的DQS和CK的线长之后,使用提供的DDR3 PHY Calc V10直接转换成WRLVL和GATELVE值,并更新到memory_test中的leveling参数,测试fail;log如下: [C66xx_0] JTAG ID= 0x1009e02f. This is C6678…
    • 5 年多前
    • 处理器
    • 处理器论坛
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  • RE: [参考译文] CSD18514Q5A:CSD18514Q5A

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jani、 谢谢咨询。 有很多关于 MOSFET PSpice 模型的文献。 我在下面提供了一个链接、该链接对不同的型号级别进行了很好的说明。 7级 BSIM 3是最高级别的模型、在预测开关损耗方面应相当准确。 CSD18514Q5A 模型包含寄生元件、电容以表格形式列出了模型、以紧密反映随 VDS 变化的非线性性质、如数据表的图5所示。 我们还提供基于 Excel 的…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • [参考译文] 66AK2G12:Micron 内存模块 mt41k512m8da-107、在 Excel 工作表中未定义?

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/785526/66ak2g12-micron-memory-modules-mt41k512m8da-107-not-defined-in-excel-sheet 器件型号 :66AK2G12 我在应用手册中找到了非常有用的 DDR3配置工具…
    • 已回答
    • 7 年多前
    • 处理器(参考译文帖)
    • 处理器(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] 用于电子音乐仪器的 PSU

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 用户、 TPS54560B l\s外 形与反相降压/升压转换器非常匹配: www.ti.com/.../TPS54560B 您也可以使用适用于 TPS54560B 的此应用手册: www.ti.com/.../slva317 有一款 Excel 计算器可让您的设计更简单: www.ti.com/.../swiftinv-calc 祝您的项目愉快!
    • 7 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] TPS40304:TPS40304问题、当温度达到-10°C 时、IC 不会启动

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 e2e.ti.com/.../Current-limit-calc-e2e-okada.xlsBob、 请查找随附的 Excel 计算器。 我还会增加 SS 引脚的软启动电容、以查看是否存在浪涌问题。 如果您的输出电流要求接近4-5A,则在低温下2.49k 会微不足道。 此致、 Mathew
    • 7 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] UCC28220:UCC28220是否可用于非隔离式升压?

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、PYTsai、 UCC28220没有可用的 Excel 工具、但可以使用 MathCAD 计算 器:www.ti.com/.../ucc28221-calc。 此致、 本·洛夫
    • 8 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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